选型手册：VSP015N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSP015N15HS-G 是一款面向 150V 中高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于 VeriMOS® II 技术实现低导通电阻与高效能，适配中高压 DC/DC 转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：150V，适配中高压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 14.5mΩ，中高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：40A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 26A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：18A；\(T_a=70^\circ\text{C}\) 时降额为 10A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：160A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，提升中高压系统的功率密度；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 811mJ，感性负载开关场景下抗冲击能力优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	150	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	55	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 40；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 26	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	160	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 18；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 10	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	811	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 37；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 20	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 2.8；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 1.7	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.8 / 2.2	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	40 / 48	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5060X 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度、高功率密度的中高压电路板设计；
• 典型应用：
  • 中高压 DC/DC 转换器：在 150V 级降压 / 升压拓扑中作为主开关管，平衡耐压与能量转换效率；
  • 中高压电源管理系统：为工业设备、储能系统的中高压电源分配环节提供高效开关控制；
  • 中功率负载开关：用于中高压设备的负载通断管理，保障系统功耗与稳定性。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）