东芯半导体以四大维度实现产品与市场的高效对接

今日“芯”共话

东芯半导体股份有限公司 副总经理  潘惠忠

2025年11月27日上午，Ofweek·2025工程师系列在线大会半导体技术在线会议如期举行，东芯半导体副总经理潘惠忠先生首位上线活动，大家以本土存储芯片设计企业的视角分为两个章节向在线观众介绍东芯半导体如何实现技术创新驱动产品与市场的高效对接。

PART 1 存储生态的发展趋势

存储芯片主要分为易失性存储和非易失性存储。

（1）易失性存储

SRAM：静态随机存取存储器

DRAM：动态随机存取存储器

（2）非易失性存储

Flash：（NAND/NOR)闪存存储器

PROM：可编程只读存储

EPROM/EEPROM：可擦除可编程只读寄存器

新型存储：RRAM、MRAM、FRAM

存储芯片是典型的寡头垄断市场，长期由国外企业主导，如NAND、DRAM产品份额都高度集中化。

近年来国内存储芯片企业迎来了快速发展，随着5G、人工智能、物联网等领域的发展驱动产业从依赖进口到技术追赶，进入转型关键期实现局部突破到生态构建，不断实现技术创新与产能扩张，并逐步缩小与国际巨头的差距，不断提升芯片国产化率。

新兴领域发展创造中小容量存储芯片增长机遇，存储芯片作为通用型产品广泛运用于消费电子、网络通讯、汽车电子等众多领域，同时市场多样化需求也需要存储技术主要从制程、容量以及可靠性不断迭代升级,产品主要迭代过程如下：

PART 2 技术创新下产品与市场的高效对接

东芯半导体股份有限公司作为Fabless芯片企业，拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

公司以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。

以四大维度实现产品与市场的高效对接：

1深耕存储主业，构建六大产品线

可同时提供 NAND 、NOR 、DRAM 

等存储芯片完整解决方案：

SPI NAND:单颗粒芯片设计

PPI NAND:高可靠性

NOR Flash:大容量&低功耗

DDR3(L):低电压&高传输速率

LPDDR1/2/4X:低电压

MCP:低电压设计,合二为一封装

2持续自主创新，迭代设计产品

持续完善产品线,聚焦高附加值产品

向先进制程持续推进,助力产品多样化。

SLC NAND Flash、NOR Flash  等产品

陆续有更多料号通过AEC-Q100 的验证，

将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。

Automotive Grade 2/1     

-40°C~105°C/125°C

也欢迎咨询更多车规产品。

3建立完整生态体系，保证产品及服务

公司打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系，坚持“双轨并行”的发展策略积极拓展境内外双代工模式，可提供从设计到产业化的一站式解决方案。

同时，持续布局关键应用领域，从网络通讯、安防监控、消费电子、物联网、汽车电子等领域优化应用生态布局，实现定制化，根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。

4培育新增长曲线，提供更多样化产品

持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。

东芯，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案！

关于东芯

东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术，专业的技术服务实力，通过国内外技术引进和合作，致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。