德州仪器GaN器件释放光伏系统更多潜能

如何尽可能高效地利用太阳能，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。

GaN 正在快速取代硅(Si) 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)系统，它不仅能提高光伏系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。随着功率需求的不断增加，采用 GaN 器件可以提高电源转换系统的性能、节约成本和缩小尺寸。

采用 TOLL 封装的 GaN 器件非常适合应用于光伏系统中。

作为无引线封装，TOLL 封装的寄生电感非常低，因而开关速度更快(减少开关损耗)、压摆率更高并且电磁干扰更低。

将 GaN FET 与驱动器集成在一起，可进一步提高效率和降低成本，有助于减少栅极电感环路数量，并在功率级中嵌入过流和过热保护功能。

通过集成可以更好地利用 TOLL 封装的优势，从而进一步降低寄生效应和系统成本。

这样的特性适用于对效率、尺寸和成本有不同层面需求的太阳能微型逆变器、串式逆变器和储能系统设计。

GaN 技术的快速发展正在不断改变电源系统，利用其优势开发出更高效且可靠的解决方案。