选型手册：VS1602GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS1602GMH 是一款面向 100V 中压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装，凭借 1.9mΩ 极致低导通电阻与 170A 大电流承载能力，适用于中压大电流 DC/DC 转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 1.9mΩ，中压场景下传导损耗近乎极致；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：170A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 113A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：42A；\(T_a=70^\circ\text{C}\) 时降额为 32A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：680A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 极致低导通电阻：1.9mΩ 低阻设计，大幅降低中压大电流场景下的传导损耗，显著提升系统能效；
• VeriMOS® II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，兼顾功率密度与可靠性；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 464mJ，感性负载开关场景下抗冲击能力优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	235	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 170；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 113	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	680	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 42；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 32	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	464	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 282；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 95	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 5.1	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.5 / 0.6	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	5.5 / 6.5	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-263 表面贴装封装，包装规格为 8000pcs / 卷，适配大电流散热需求的高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 中压大电流 DC/DC 转换器：在 100V 级降压 / 升压拓扑中作为主开关管，极致低阻大幅降低传导损耗；
  • 高功率电源管理系统：为工业设备、储能系统的中压电源分配环节提供高效开关控制；
  • 大功率负载开关：支持超大电流负载的通断管理，适用于高功率设备的电源控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）