电子说
在当今电子设备对电源管理要求日益严苛的背景下,一款性能卓越的同步降压调节器显得尤为重要。onsemi推出的NCP3286,凭借其出色的性能和灵活的配置,成为众多应用场景中的理想选择。本文将深入剖析NCP3286的特性、应用及相关设计要点,为电子工程师们提供全面的参考。
文件下载:onsemi NCP3286可堆叠同步降压稳压器数据手册.pdf
NCP3286是一款具备PMBus接口的高效可堆叠同步降压调节器。它的输入电压范围为3.0 V至18 V,能够支持高达40 A的连续负载电流。通过将多个NCP3286设备并联,可实现高达160 A的输出电流,满足高功率应用的需求。该调节器采用固定频率电流模式控制,能提供精确的电压调节和快速的瞬态响应,同时支持灵活的功能和参数编程,适用于多种应用场景。



单个NCP3286可提供40 A的连续输出电流,通过2、3或4个设备并联,可实现高达160 A的输出电流,满足不同功率需求的应用。
在路由器、交换机、电信数字基带和无线电单元等网络和电信设备中,NCP3286可提供稳定的电源供应,满足设备对高功率和高效率的要求。
在服务器、台式计算机、笔记本电脑和游戏设备等计算机系统中,NCP3286可用于为CPU、GPU等核心组件提供精确的电源,确保系统的稳定运行。
在高密度电源模块和通用负载点(POL)调节器等应用中,NCP3286的可堆叠特性和高功率密度使其成为理想的选择。
| NCP3286可在交错多相POL系统中配置为主机或从机,通过FB和VSNS - 引脚的配置来实现。具体配置如下表所示: | 角色 | FB | VSNS - | 应用 |
|---|---|---|---|---|
| 主机 | VOUT | GND | 1、2、3、4相 | |
| 第一从机 | VCC | GND | 2、3、4相 | |
| 第二从机 | VCC | VCC | 3、4相 | |
| 第三从机 | VCC | 100k - GND | 4相 |
| 通过在ADDR引脚和GND之间连接一个1%的电阻(RADDR),可设置PMBus地址的偏移部分。PMBus地址的基部分由制造商特定的寄存器C5h设置。具体地址选择如下表所示: | RADDR (kΩ) | 主机 | 第一从机 | 第二从机 | 第三从机 |
|---|---|---|---|---|---|
| 10.0 | base + 00h | base + 01h | base + 02h | base + 03h | |
| 15.0 | base + 01h | base + 02h | base + 03h | base + 04h | |
| 18.2 | base + 02h | base + 03h | base + 04h | base + 05h | |
| 22.1 | base + 03h | base + 04h | base + 05h | base + 06h | |
| 27.4 | base + 04h | base + 05h | base + 06h | base + 07h | |
| 33.2 | base + 05h | base + 06h | base + 07h | base + 08h | |
| 39.2 | base + 06h | base + 07h | base + 08h | base + 09h | |
| 47.5 | base + 07h | base + 08h | base + 09h | base + 0Ah | |
| 56.2 | base + 08h | base + 09h | base + 0Ah | base + 0Bh | |
| 68.1 | base + 09h | base + 0Ah | base + 0Bh | base + 0Ch | |
| 82.5 | base + 0Ah | base + 0Bh | base + 0Ch | base + 0Dh | |
| 100 | base + 0Bh | base + 0Ch | base + 0Dh | base + 0Eh | |
| 121 | base + 0Ch | base + 0Dh | base + 0Eh | base + 0Fh | |
| 150 | base + 0Dh | base + 0Eh | base + 0Fh | base + 10h | |
| 182 | base + 0Eh | base + 0Fh | base + 10h | base + 11h | |
| 221 | OFh | OFh | OFh | OFh |
根据所需的输出电压(VOUT),选择合适的VOUT Scale设置。对于VOUT Scale不等于1的情况,需要从VOUT到FB到VSNS - 连接一个等效比例的电阻分压器。同时,根据所需的VOUT Scale级别和软启动时间(TSS),选择RSS/MODE1对应的电阻值(RPIN)。
根据目标启动VOUT电平(VBOOT)和已确定的VOUT Scale设置,选择RVSET/FAULT对应的电阻值(RPIN)。在初始上电或输入电源循环后,VOUT_COMMAND寄存器(21h)将自动加载由RVSET/FAULT确定的VOUT电平。
根据所需的每相开关频率和要实现的总相数,选择RSYNC/MODE2对应的电阻值(RPIN)。在初始上电时,FREQUENCY_SWITCH(33h)和INTERLEAVE(37h)寄存器将根据所选的RSYNC/MODE2值加载默认值。
通过RIMON/ILIM设置每相谷底电流限制(IVLY)和保护模式(打嗝/锁存模式)。在初始上电或输入电源循环后,相关寄存器将自动加载由RIMON/ILIM确定的默认级别。
NCP3286采用逐周期谷底电流限制(IVLY)阈值来保护调节器。OCP检测从软启动斜坡开始,直到关机。如果OCP事件持续超过32个连续开关周期,设备将进入故障状态(打嗝或锁存模式)。
UVP检测从软启动结束时PGOOD信号有效开始,直到关机。当FB引脚电压低于由VOUT_UV_FAULT_LIMIT寄存器(44h)设置的VUVP_TH时,NCP3286将强制PGOOD信号为低,并关闭两个功率MOSFET。
OVP在软启动开始直到关机、锁存或打嗝空闲时间内有效。当FB引脚电压超过由VOUT_OV_FAULT_LIMIT寄存器(40h)设置的VOVP_TH阈值,且持续时间超过TD_OVP时,OVP将被触发,PGOOD信号将被强制为低。
当芯片温度(TJ)达到热关断阈值(TSD)时,整个设备将被强制关机,以防止严重过热。一旦热保护触发,整个芯片将保持关闭状态,直到TJ冷却到TRST,然后自动恢复并开始软启动序列。
良好的PCB布局对于确保NCP3286的正常运行、提高效率和降低噪声至关重要。以下是一些关键的布局要点:
将去耦电容尽可能靠近控制器的VCC和VDRV引脚放置。VCC引脚的滤波电阻应小于2.2 Ω,以防止出现大的电压降。
合理放置和布线输入电容,以保持最短的电流回路长度,减少寄生电感、输入电压尖峰和噪声发射。通常,在PVIN和PGND引脚附近放置一个低ESL的MLCC电容,以降低高频噪声。
对于高电流路径,如PVIN、VOUT、SW和PGND,应使用尽可能宽和短的走线,以最小化串联ESL和ESR,减少功率损耗和温度上升。
SW、PHASE和BST引脚包含高电压不连续开关波形,应注意避免与敏感信号(如FB、VSNS - 和COMP)发生电容耦合。建议在PCB设计中添加RC缓冲组件位置,以提供额外的阻尼,降低SW峰值电压。
自举电容(CBST)和串联电阻(RBST)应使用低阻抗路径直接连接在BST和PHASE引脚之间。串联电阻用于限制SW峰值电压,特别是在高VIN电平下。
使用Kelvin感测对从FB和VSNS - 引脚路由到远程感测点。感测对最好在实心GND平面上布线,避免靠近开关节点或其他噪声源。
连接到FB和COMP的RC网络的所有组件应尽可能靠近IC引脚放置,并注意避免走线靠近噪声源。
将暴露的PGND焊盘通过多个过孔直接连接到GND平面。建议使用多个系统GND平面,并将AGND引脚在靠近IC的AGND引脚处通过低阻抗路径连接到系统GND平面。
在多相/堆叠系统中,主从互连应使用低阻抗走线,避免开关噪声源。特别是COMP信号的布线应格外注意。
确保IC下方的大暴露焊盘(DAP)牢固焊接。通过使用多个GND层和在IC周围大量应用热过孔,可改善散热效果。在可能的情况下,使用大面积铜箔,以提高热传导和辐射。同时,应将电感远离IC,以分散热源,减少附近的热量积聚。
NCP3286作为一款高性能的同步降压调节器,凭借其宽输入输出范围、高电流处理能力、灵活的编程功能和丰富的保护特性,在网络、电信、服务器和计算机等众多应用领域具有广泛的应用前景。在实际设计中,电子工程师们需要根据具体应用需求,合理配置NCP3286的参数,并遵循PCB布局指南,以确保系统的稳定性和可靠性。希望本文能为工程师们在使用NCP3286进行电源设计时提供有益的参考。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !