选型手册：VS1602GTH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS1602GTH 是一款面向 100V 中压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，适配中压大电流 DC/DC 转换器、电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 1.6mΩ，中压场景下传导损耗近乎极致；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：170A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 120A；
    • 封装约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：130A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：675A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：实现快速开关与高能量转换效率，兼顾功率密度与能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 284mJ，抗冲击能力极强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	170	A
连续漏极电流（硅片约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 170；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 120	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	675	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	284	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	250	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.5 / 0.6	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220AB 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube，适配大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 100V 级中压超大电流 DC/DC 转换器主开关管；
  • 高功率电源管理系统的功率开关；
  • 工业设备、储能系统的超大电流负载通断控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）