选型手册：VS3640AA N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3640AA 是一款面向 30V 低压小电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN2x2 封装，适配小型化低压电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 14mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 20mΩ，低压小电流场景下损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 10A，\(T=70^\circ\text{C}\) 时降额为 8A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：40A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足瞬时小电流冲击需求。

二、核心特性

• 超小型封装：采用 DFN2x2 封装，适配超高密度、微型化电路板设计；
• 快速开关 + 高效率：开关速度优异，兼顾低压小电流场景的能量转换效率；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	2.1	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 10；\(T=70^\circ\text{C}\): 8	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	40	A
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 2.5；\(T=70^\circ\text{C}\): 1.6	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	7	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：DFN2x2x0.75-L 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配微型化、高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 30V 级低压微型 DC/DC 转换器；
  • 便携设备、物联网终端的负载开关；
  • 小型电子设备的低功耗电源管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）