电子说
在电子工程领域,非易失性存储器的选择对于系统的性能和可靠性至关重要。今天,我们将深入探讨FM24CL04B这款4 - Kbit(512 × 8)串行(I²C)F - RAM,它凭借诸多独特的特性,在众多应用场景中展现出了强大的竞争力。
文件下载:FM24CL04B-GTR.pdf
FM24CL04B是一款采用先进铁电工艺的4 - Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)具有非易失性,读写操作类似于RAM,能提供长达151年的数据保留时间,同时避免了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。


| FM24CL04B采用8 - 引脚小外形集成电路(SOIC)封装,其引脚定义如下: | Pin Name | V/O Type | Description |
|---|---|---|---|
| A2 - A1 | Input | 设备选择地址2 - 1,用于在同一I²C总线上选择多达4个相同类型的设备。 | |
| SDA | Input/Output | 串行数据/地址,双向引脚,用于I²C接口,需外接上拉电阻。 | |
| SCL | Input | 串行时钟,用于I²C接口,数据在下降沿从设备输出,在上升沿输入设备。 | |
| WP | Input | 写保护,连接到$V_{DD}$时,整个内存映射的地址将被写保护;连接到地时,所有地址可写。 | |
| Vss | Power supply | 设备接地端,必须连接到系统的地。 | |
| VDD | Power supply | 设备电源输入端。 |
写操作从发送从设备地址和字地址开始,总线主设备通过将从设备地址的LSB(R/W位)设置为‘0’来指示写操作。寻址后,总线主设备将每个数据字节发送到存储器,存储器生成确认条件。F - RAM没有有效的写入延迟,整个内存周期在单个总线时钟内完成,因此写操作后可立即进行其他操作。
读操作分为当前地址读和选择性地址读两种基本类型:
超过最大额定值可能会缩短设备的使用寿命,包括存储温度、电源电压、输入电压等参数都有明确的限制。
工业温度范围为–40 °C至 + 85 °C,电源电压范围为2.7V至3.65V。
在工作范围内,对电源电压、平均电流、待机电流、输入输出泄漏电流等参数进行了详细规定。
规定了SCL时钟频率、起始条件建立时间、时钟高低电平周期等交流开关特性参数。
由于FM24CL04B具有高耐久性、无延迟写入和低功耗等优点,适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,如数据记录、工业控制等领域。在数据记录应用中,其高写入次数可确保数据的完整记录;在工业控制中,避免了EEPROM长写入时间可能导致的数据丢失问题。
FM24CL04B作为一款高性能的串行F - RAM,在读写性能、耐久性、功耗等方面都具有显著优势。对于电子工程师来说,它是替代串行(I²C)EEPROM的理想选择,能有效提高系统的性能和可靠性。在实际应用中,我们需要根据具体的需求和系统要求,合理选择和使用这款产品,以充分发挥其优势。你在使用类似存储器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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