电子说
在电子工程领域,数字微镜设备(DMD)一直是空间光调制的关键技术。今天,我们聚焦于德州仪器(TI)的DLP2010NIR,一款专为近红外(NIR)应用设计的高性能DMD,深入探讨其特性、应用及设计要点。
文件下载:dlp2010nir.pdf
DLP2010NIR是一款对角线为0.2英寸的空间光调制器,像素阵列采用854列×480行的方形网格排列。其电气接口为Sub Low Voltage Differential Signaling(SubLVDS)数据,能实现高速数据传输。该设备是芯片组的一部分,与DLPC150/3470控制器和DLPA200X(DLPA2000或DLPA2005)电源管理集成电路(PMIC)配合使用,确保可靠运行。
设备尺寸为15.9mm×5.3mm×4mm,适合便携式仪器应用。
DLP2010NIR可与光栅和单元素探测器结合,替代昂贵的InGaAs线性阵列探测器设计,实现高性能、低成本的便携式近红外光谱分析解决方案,广泛应用于化学分析、便携式过程分析仪等领域。
还可用于压缩传感(单像素近红外相机)、3D生物识别、机器视觉、红外场景投影、显微镜、激光打标、光学斩波器、光网络等领域。
了解设备的绝对最大额定值至关重要,超出这些范围可能导致设备永久性损坏。例如,VDD(LVCMOS核心逻辑和LPSDR低速接口的电源电压)的绝对最大额定值为 - 0.5V至2.3V。
在推荐工作条件下,设备才能实现最佳性能。如VDD的推荐工作范围为1.65V - 1.95V,VBIAS(微镜电极偏置电路的电源电压)为17.5V - 18.5V。
设备的热性能对其可靠性和性能有重要影响。DLP2010NIR的热阻为7.9°C/W(有源区域到测试点TP1),设计冷却系统时需确保设备在推荐温度范围内工作。
包括各种电源的电流和功率消耗等参数。例如,VDD在1.95V时的最大供应电流为34.7mA。
明确了LPSDR和SubLVDS接口的时序参数,如LPSDR接口的时钟周期(tC)为7.7 - 8.3ns。
规定了输出传播时间、摆率和输出占空比失真等参数,确保设备的高速响应和稳定性。
最大系统安装接口负载对连接器区域为45N,对DMD安装区域均匀分布在4个区域时为100N。
微镜阵列的物理特性包括列数、行数、微镜间距、有源阵列宽度和高度等,这些参数影响着设备的分辨率和光学性能。
微镜的倾斜角度、倾斜方向、交叉时间和切换时间等光学特性,对系统的光学性能和图像质量有重要影响。
窗口的材料、折射率、透射率等特性,决定了近红外光的透过率和系统的光学效率。
需根据测量点温度、陶瓷封装热阻、电气功耗和照明热负载等因素,计算微镜阵列的温度,确保设备在安全温度范围内工作。
了解微镜着陆占空比对设备使用寿命的影响,合理设计系统以减少不对称占空比的影响。
DLP2010NIR作为一款高性能的近红外数字微镜设备,凭借其卓越的特性和广泛的应用领域,为电子工程师提供了强大的工具。在设计过程中,我们需要充分考虑其技术规格和设计要点,以实现最佳的系统性能和可靠性。你在使用类似设备时遇到过哪些挑战?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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