选型手册：VSU070N65HS3 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSU070N65HS3 是一款面向 650V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，适配高压电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 460mΩ，\(V_{GS}=20V\) 时典型值 400mΩ，高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：48A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 31A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：143A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• Super Junction 工艺：适配高压场景，兼顾耐压与导通电阻的平衡；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 1561mJ，抗冲击能力强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	650	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	48	A
连续漏极电流（硅片约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 48；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 31	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	143	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	1561	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	53.3	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.27 / 0.32	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-247 直插封装，包装规格为 300pcs/Tube，适配高压大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 650V 级高压 DC/DC 转换器开关管；
  • 工业设备的高压电源管理系统；
  • 光伏、储能等高压场景的功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）