选型手册：VS3622DP2 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3622DP2 是一款面向 30V 低压场景的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，采用 PDFN5x6 封装，适配双路低压大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配双路低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，单通道）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 7.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 11mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，单通道，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：42A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 28A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)，单通道）：168A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足双路负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 双通道 + 5V 逻辑控制：单芯片集成 2 路 N 沟道 MOSFET，适配 5V 逻辑驱动，简化双路电源拓扑设计；
• 低导通电阻 + 高可靠性：7.5~11mΩ 阻性表现降低传导损耗，且通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 21mJ（单通道），感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，单通道，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	42	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 42；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 28	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	168	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	21	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 33；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 2.5	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	0	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度双路电源电路板设计；
• 典型应用：
  • 30V 级双路低压大电流 DC/DC 转换器；
  • 双路同步整流回路；
  • 工业设备、消费电子的双路中功率负载开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）