瑞能半导体荣膺2025国际功率器件行业卓越奖

日前，由21世纪电源网、电子研习社联合主办的“第十六届亚洲电源技术发展论坛”在深圳隆重举行。在活动同期举办的“2025第四届电源行业配套品牌颁奖典礼”中，瑞能半导体凭借在功率器件领域的技术突破，荣膺“国际功率器件行业卓越奖”。

该奖项由世纪电源网组织，经大众投票及专家团严格评审，被誉为电源配套领域的权威认证之一，标志着获奖企业的技术实力与产品可靠性获得了产业链上下游的高度共识。

本次论坛聚焦高性能功率器件、先进电源技术以及新能源趋势，来自功率器件、半导体芯片等技术方向，超3000名工程师齐聚一堂。

瑞能半导体受邀出席，并由现场技术支持高级经理Ben Huang发表主题演讲。

Ben Huang重点围绕瑞能SiC器件在新能源车主驱逆变、OBC/DC-DC、电源系统中的关键表现展开分析，并分享了瑞能在高压、大电流、低损耗方面的最新技术成果。

瑞能SiC产品进阶历程

自2011年启动SiC项目以来，瑞能半导体持续深耕碳化硅技术领域，通过不断的技术迭代与创新，已成功构建覆盖650V至2200V全电压范围的SiC SBD、MOSFET及功率模块产品矩阵，全面布局车载、电源与新能源等关键应用领域。

公司产品发展历程彰显了坚实的技术积累：2021年实现重大突破，同步发布Gen-6 SBD与Gen-1 SiC MOSFET，产品体系快速成型；此后，瑞能紧跟SiC技术前沿不断迭代，Gen-2 SiC MOSFET随即推出；车规SiC功率器件实现量产，SiC 功率产品线电压平台逐步覆盖1400V、1700V。SiC功率模块，顶部散热封装，瑞能特殊定制封装等也全面就绪。

近年，瑞能进一步完善了高压产品线，推出2200V SiC SBD & MOSFET及功率模块，持续强化了在高压大功率功率应用领域的技术优势和产品竞争力。随着Gen-3 SiC MOSFET逐步投放市场，以及Gen1 Trench Gate MOSFET 的产品研究开发，瑞能碳化硅的产品版图不断扩大，市场领导地位更加稳固。