选型手册：VS3618AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3618AD 是一款面向 30V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，采用 TO-252 封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 4.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 5.8mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 70A，\(T=100^\circ\text{C}\) 时降额为 50A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动，无需额外电平转换，简化电路设计；
• 低导通电阻 + 高可靠性：4.8~5.8mΩ 阻性表现降低传导损耗，且通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 200mJ，感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	70	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 70；\(T=100^\circ\text{C}\): 50	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	280	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	200	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 48；\(T=100^\circ\text{C}\): 15.3	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	3.1	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配中功率密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 30V 级低压中功率 DC/DC 转换器；
  • 工业设备、消费电子的中功率负载开关；
  • 同步整流回路。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）