选型手册：VS3510AD P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3510AD 是一款面向 30V 低压场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，采用 TO-252 封装，适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 沟道耐压为负值，适配 30V 低压场景）；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\) 时典型值 10mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\) 时典型值 18mΩ，低压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 50A，\(T=100^\circ\text{C}\) 时降额为 36A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动（P 沟道通过拉低栅极电压导通），简化电路设计；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 43mJ，感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	-30	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	50	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=-10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 50；\(T=100^\circ\text{C}\): 36	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	200	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	43	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 42；\(T=100^\circ\text{C}\): 1.25	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	2.8	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配中功率密度电路设计；
• 典型应用：
  • 30V 级低压电源的高侧负载开关；
  • 电池供电设备的电源通路控制；
  • 工业设备、消费电子的中功率电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）