电子说
在电力电子领域,对于栅极驱动器的评估和设计是至关重要的环节。今天,我们就来详细探讨一下Infineon的EVAL-1ED3330MC12M-SiC评估板,它为评估1ED3330MC12M EiceDRIVER™隔离栅极驱动器IC和离散功率开关提供了一个便捷且高效的平台。
文件下载:Infineon Technologies EVAL-1ED3330MC12M-SiC 评估板.pdf
当你收到EVAL-1ED3330MC12M-SiC评估板时,会发现里面包含了评估板本身、两个用于组装的IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1200 V SiC沟槽MOSFET,以及一个插在高压PCB端子接头上的高压PCB连接器。这些组件为后续的评估工作提供了基础。
评估板的框图清晰地展示了其内部结构和信号流向。从框图中,我们可以看到各个模块之间的连接关系,这有助于我们理解评估板的工作原理。
评估板给出了详细的绝对最大额定值和推荐工作条件。例如,二极管保护的板输入电压(VDD)的绝对最大额定值为 -0.3 V至18 V,推荐工作条件为13 V至17 V。这些参数为我们在使用评估板时提供了重要的参考,确保我们的操作在安全范围内。
在评估板上电时,我们可以观察到低侧栅极驱动器输出侧电源电压的上升情况。从测量结果来看,正电源电压和负电源电压在软启动后分别达到18 V和 -2.8 V。这一过程展示了评估板电源系统的稳定性和可靠性。
双脉冲测试是评估开关性能和栅极驱动器控制功能的重要手段。在评估板上,我们对低侧开关进行双脉冲测试。测试过程中,当第一个脉冲施加时,低侧开关导通,直流电压施加到负载电感上,电感电流稳步上升;第一个脉冲结束时,低侧开关关断;低侧开关再次导通时,电感电流从高侧开关的体二极管换向回低侧开关。通过这些测试结果,我们可以评估开关的导通和关断行为,以及栅极驱动器控制大电流开关事件的能力。
短路测试主要用于验证栅极驱动器的功能和鲁棒性,特别是其DESAT(去饱和)保护机制。在评估板上,我们对低侧开关进行类型1短路测试。在测试中,模拟高侧开关的短路情况,低侧开关主动导通以允许电流流过短路。当低侧开关导通时,MOSFET的漏极电流迅速上升,漏源电压下降。经过栅极驱动器的前沿消隐时间后,栅极驱动器的内部DESAT电流源开始对DESAT电容充电。随着漏极电流继续增加,达到最大值后由于MOSFET的饱和而趋于稳定。此时,MOSFET的漏源电压开始再次上升,进一步促使DESAT电容充电,当DESAT电容上的电压达到阈值时,触发栅极驱动器的DESAT保护,栅极驱动器启动软关断,确保开关的受控关断,最小化短路电流关断引起的漏源电压过冲。最后,栅极驱动器锁定在故障状态,FLTN信号变为低电平,向系统输入侧指示故障情况。
评估板提供了详细的原理图,包括电源电路原理图和半桥电路原理图。这些原理图展示了各个组件之间的连接关系和信号流向,为我们深入理解评估板的工作原理提供了重要依据。
评估板采用4层PCB设计,铜厚度为35 µm。通过展示PCB的顶层和底层视图以及铜层,我们可以看到评估板的布局设计是经过精心考虑的,旨在确保信号的稳定传输和减少干扰。
物料清单详细列出了评估板所需的所有组件、部件编号和数量。这对于我们进行组件替换或自行组装评估板非常有帮助。
评估板提供了各种连接器,包括输入侧低压连接器、输出侧栅极驱动器电源连接器和高压电源端子连接器。每个连接器都有详细的引脚定义,方便我们进行连接和测试。
评估板上设有多个测试点,用于测量输入侧和输出侧的信号。这些测试点为我们进行信号监测和故障排查提供了便利。
EVAL-1ED3330MC12M-SiC评估板为评估1ED3330MC12M栅极驱动器IC提供了一个全面且便捷的平台。它具有丰富的功能和特性,能够满足不同用户的测试需求。通过详细的文档和丰富的测试数据,我们可以更好地了解栅极驱动器的性能和特性,为实际应用中的设计和优化提供参考。同时,评估板的设计也考虑了用户的使用便利性,减少了外部电源的使用,降低了设置复杂度。如果你正在进行栅极驱动器的评估和设计工作,不妨考虑一下这款评估板。
你在使用评估板的过程中遇到过哪些问题呢?或者你对评估板的哪些特性最感兴趣?欢迎在评论区留言分享。
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