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2025-12-18
97
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描述
探索TLE49SR:高性能角度传感器的卓越之选
在电子工程师的日常设计工作中,角度传感器是一个关键的组件,它广泛应用于各种需要精确测量角度的场景。今天,我们就来深入了解一下英飞凌的TLE49SR系列角度传感器,看看它有哪些独特的特性和优势。
文件下载:Infineon Technologies TLE49SRx角度传感器.pdf
产品概述
TLE49SR是基于霍尔技术的杂散场鲁棒角度传感器,用于测量0°至360°范围内的绝对角位置。它提供数字输出接口,采用空间分离的霍尔单元,能够实现对磁场的杂散场鲁棒测量,同时在集成电路上还集成了信号调理电路。该系列传感器支持SENT和SPC接口,并且是根据ISO 26262标准开发的安全元件,可满足高达ASIL D级别的安全要求。
产品型号
TLE49SR系列包含TLE49SRC8D和TLE49SRS8D两种型号,它们分别采用SPC和SENT接口,均采用SMD双芯片封装。
产品特性
- 杂散场鲁棒性:具备内在的杂散场鲁棒性,能够有效抵抗外界杂散磁场的干扰,确保测量的准确性。
- 差分霍尔角度传感器:基于差分霍尔原理,实现对磁场的精确测量。
- 360°角度测量:可实现全范围的角度测量,满足各种应用需求。
- 角度速度信息:不仅能提供角度信息,还能输出角度速度信息。
- 多种接口支持:支持SPC和SENT接口,方便与其他设备进行通信。
- 双芯片封装:采用SMD双芯片封装,提高了产品的可靠性和稳定性。
- 高精度测量:在整个生命周期和温度范围内,最大固有角度误差不超过±1°。
- 高电压和反极性能力:具备高电压和反极性保护能力,增强了产品的抗干扰能力。
- 14位绝对角度值输出:在输出端以14位表示360°范围内的绝对角度值,提供了较高的分辨率。
- EEPROM存储:内置EEPROM,可用于存储配置信息(如零角度)和客户特定ID。
- 安全设计:符合ISO 26262标准,可作为安全元件使用,满足汽车等对安全性要求较高的应用场景。
- 查找表校正:通过查找表校正系统角度误差,进一步提高测量精度。
潜在应用
TLE49SR系列传感器具有广泛的应用前景,常见的应用场景包括:
- 底盘高度传感器:用于测量汽车底盘的高度,实现对车辆悬挂系统的精确控制。
- 踏板位置传感器:监测汽车踏板的位置,为发动机控制系统提供准确的输入信号。
- 节气门位置传感器:精确测量节气门的开度,确保发动机的正常运行。
- 转向角度传感器:测量汽车转向系统的角度,为电子助力转向系统提供关键数据。
- 雨刮器位置传感器:检测雨刮器的位置,实现自动雨刮功能。
产品详细参数
绝对最大额定值
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 最大电源电压 |
VDD max |
-21 |
|
26 |
V |
最大1分钟@Tj = 175°C或最大1小时@Tj = 100°C |
| 最大I/O电压 |
Vio_Max |
-18 |
|
19.5 |
V |
最大40小时 |
| 电源电压峰值 |
VDD_peak |
|
|
30 |
V |
最大50微秒,无电流限制 |
| I/O电压峰值 |
Vo_peak |
|
|
30 |
V |
最大50微秒,无电流限制 |
| 最大缓冲电容电压 |
VcBuf max |
-0.3 |
|
5.5 |
V |
|
| 最大电源电流 |
DD_max |
-75 |
|
45 |
mA |
最大40小时,电流 < 0表示短路到VoD |
| 最大I/O电流 |
ho_max |
-130 |
|
130 |
mA |
最大1小时,电流 > 0表示短路到GND,电流 < 0表示短路到VoD |
| 最大环境温度 |
TA max |
-40 |
|
150 |
°C |
最大1000小时@TA = 150°C(非累加) |
| 最大结温 |
TJ_max |
-40 |
|
175 |
°C |
最大1000小时@T = 175°C(非累加);其他结温下的最大暴露时间应使用Arrhenius模型计算 |
| 双芯片隔离能力 |
Viso |
12 |
|
|
V |
从芯片1的任何引脚到芯片2的任何引脚 |
| 双芯片隔离能力 |
Viso |
100 |
|
|
V |
从芯片1的任何引脚到芯片2的任何引脚,限制为60秒 |
| 双芯片隔离能力 |
Viso |
300 |
|
|
V |
从芯片1的任何引脚到芯片2的任何引脚,限制为100微秒 |
| 隔离规格 |
Risol |
4 |
|
|
MS |
两个芯片之间 |
| 存储和运输温度 |
Tstorage |
5 |
|
40 |
°C |
对于干燥包装的设备,相对湿度 < 90%,存储时间 ≤ 3年 |
ESD抗扰度
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| HBM ESD抗扰度 |
VHBM |
|
|
+4 |
kV |
根据AEC - Q100 - 002标准,对于连接GND引脚的静电放电电压 |
| HBM ESD抗扰度 |
VHBM |
|
|
±2 |
kV |
根据AEC - Q100 - 002标准的静电放电电压 |
| CDM ESD抗扰度 |
VCDM |
|
|
±0.5 |
kV |
产品能承受根据AEC - Q100 - 011标准规定的静电放电电压,除角引脚外的所有引脚 |
| CDM ESD抗扰度 |
VCDM |
|
|
±0.75 |
kV |
产品能承受根据AEC - Q100 - 011标准规定的静电放电电压,仅角引脚 |
杂散场鲁棒性
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 直流杂散场鲁棒性 |
BExt_DC |
-8 |
|
8 |
mT |
|
| 交流杂散场鲁棒性 |
BExt_AC |
-1.25 |
|
1.25 |
mT |
根据ISO 11452 - 8:2015标准 |
寿命和点火循环
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 工作寿命 |
top_life |
15k |
|
|
h |
最大1000小时@Tj_max = 175°C(非累加) |
| 总寿命 |
ttot_life |
19 |
|
|
a |
额外3年存储时间 |
| 点火循环次数 |
Nignition |
54k |
|
|
|
在工作寿命top_life期间 |
功能范围
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 工作结温 |
TJ |
-40 |
|
175 |
°C |
最大1000小时@T = 175°C(非累加);其他结温下的最大暴露时间应使用Arrhenius模型计算 |
| 工作环境温度 |
TA |
-40 |
|
150 |
°C |
最大1000小时@T = 150°C(非累加);符合Grade 0标准 |
| 工作电源电压 |
VDD |
4.5 |
|
5.5 |
V |
|
| 输出上拉电压 |
Vpulup |
3.0/4.5 |
|
5.5 |
V |
3.3V上拉电压仅在EEPROM中设置3.3V总线能力位时有效 |
| 输出泄漏电流 |
loUT_Leak |
20 |
|
120 |
μA |
Voo = 5V且0 < Vpullup |
| 电源电压转换率 |
VDD_slew |
0.1 |
|
108 |
V/s |
转换率是单位时间内的最大电压变化,与应用电路有关 |
| 工作电源电流 |
IDD |
4 |
13.5 |
16.5 |
mA |
每个芯片的值,如果两个芯片连接到同一电源,电源电流需加倍 |
| 角度范围 |
a |
0 |
|
360 |
° |
|
| 角度分辨率 |
RES |
0.022 |
|
|
°/bit |
|
工作磁场范围
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 工作磁场 |
Bop |
20 |
|
90 |
mT |
基于差分磁场;与封装表面正交的磁场分量 |
| 扩展工作磁场 |
Bop_ext |
10 |
|
20 |
mT |
基于差分磁场;与封装表面正交的磁场分量。在扩展工作范围(10至20mT之间),警告位激活 |
角度速度
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 角度速度 |
n |
|
|
10000 |
rpm |
|
| 角度速度总误差 |
Δn |
-3 |
|
3 |
% |
对于恒定速度 |
| 角度速度噪声 |
nRMS |
|
|
5 |
rpm |
|
角度速度信号属性
| 角度速度模式 |
vc1 |
va2 |
va3 |
va4 |
单位 |
| 测量范围最大值 |
±1000 |
+5000 |
+4606 |
±180000 |
°/s |
| 信号分辨率 |
12 |
12 |
16 |
16 |
bit |
| 延迟时间 |
1.0 |
1.0 |
1.0 |
0.5 |
ms |
热阻
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
备注或条件 |
| 结到环境的热阻 |
RthJA |
|
87 |
91 |
|
产品特性详解
功能描述
角度精度
| TLE49SR的固有角度误差包括IC本身的所有误差,不考虑机械或磁公差。机械或磁公差会增加角度误差,但可以通过生产线末端的多点校准进行补偿。 |
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 固有角度误差 |
AEINL |
|
|
0.8 |
° |
包括偏移、温度范围内的灵敏度失配,假设为理想磁场 |
| 扩展磁场范围内的固有角度误差 |
AEINL_EXT |
|
|
1.25 |
° |
包括偏移、温度范围内的灵敏度失配,假设为理想磁场 |
| 固有角度精度寿命漂移 |
AEdrift |
|
|
0.2 |
° |
|
| 输出噪声(RMS) |
OUTnoise_1k_5Hz |
|
0.05 |
0.1 |
° |
对于LP - 滤波器设置8,20mT磁感应强度和Tamb = 25°C |
接口时序
- SENT接口时序:原始数据通过SYNC半字节的下降沿进行连续滤波和采样,角度计算从此时开始,并生成输出协议。角度计算完成后,在同一SENT帧内传输角度值,实现角度数据的恒定延迟。
- SPC接口时序:在接收到有效的SPC触发信号后,原始数据根据配置的滤波器特性进行连续滤波,并在同步脉冲的下降沿进行采样。同步脉冲的下降沿还会启动角度计算和剩余协议的设置,并在同一SPC帧内发送。同样实现了角度数据相对于触发事件的恒定延迟。
电气特性
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 上电时间 |
tPoN |
2 |
|
198 |
ms |
启动或复位后传感器准备好运行的时间;可按192μs步长配置 |
| 内部时钟公差 |
Afclock |
-3.5 |
|
3.5 |
% |
包括温度和寿命影响 |
外部电路
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| 线路电容 |
CL |
|
|
1.3 |
nF |
对于SENT/SPC协议,根据配置的单位时间在0.75μs至1μs之间 |
| 线路电容 |
CL |
|
|
2.2 |
nF |
对于SENT/SPC协议,根据配置的单位时间在1.05μs至2μs之间 |
| 线路电容 |
CL |
|
|
3.9 |
nF |
对于SENT/SPC协议,根据配置的单位时间在2.05μs至3μs之间 |
| 电源电容 |
Cs |
|
100 |
|
nF |
TDSO - 8 |
| CBUF电容 |
CBUF |
57.8 |
68 |
78.2 |
nF |
TDSO - 8 |
| SENT上拉电阻 |
RP_SENT |
10 |
|
55 |
kΩ |
TDSO - 8,用于SENT协议 |
| SPC上拉电阻 |
Rp_SPC |
1.45 |
2.2 |
10 |
kΩ |
TDSO - 8,根据配置的单位时间用于SPC协议 |
特定模块描述
诊断功能
磁场超出范围
传感器通过状态和通信半字节中的警告位指示磁场超出指定范围。
欠压和过压条件
| 参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
备注或条件 |
| VDD欠压检测 |
Vuv |
3.2 |
|
4.1 |
V |
低于此电平,不传输协议 |
| VDD过压检测 |
Vov |
6.5 |
|
7.35 |
V |
高于此电平,不传输协议 |
| 欠压复位时间 |
tuv |
|
|
50 |
μs |
低于阈值的时间,传感器启动安全反应 |
| 欠压迟滞 |
Vuv_hyst |
300 |
380 |
500 |
mV |
|
| 过压迟滞 |
Vov_hyst |
100 |
160 |
300 |
mV |
|
| 过压反应时间 |
tov_RT |
|
|
50 |
μs |
对过压条件做出反应并禁用输出的时间 |
| 过压恢复时间 |
tov |
|
|
50 |
μs |
过压条件后启用协议输出的时间 |
| 欠压反应时间 |
tuv_RT |
|
|
50 |
μs |
对欠压条件做出反应并禁用输出的时间 |
| 欠压恢复时间 |
tuv_RT |
|
|
50 + 滤波器延迟 |
μs |
欠压条件后启用协议输出的时间 |
接口
SENT接口
- 接口描述:SENT接口是一种标准化的单向数字协议,信息以不同长度的半字节编码,每个半字节包含4位信息。单位时间(UT)和半字节低时间可配置,可减少整体帧长度。
- 协议组成:标准传感器协议包括同步周期、状态半字节、3或4个数据半字节、可选的2个温度半字节、可选的滚动计数器半字节、CRC半字节和可选的暂停脉冲。单安全传感器协议包括同步脉冲、状态半字节、3个数据半字节、2个包含8位滚动计数器信息的
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