120V低IQ理想二极管典型应用与极限参数

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描述

产品描述:

PC2781 是高边驱动控制器配合 N 沟道功率MOSFET 控制器, 在应用时与外部 N 沟道功率MOSFET、电容储存器共同使用,实现二极管电路功能,该二极管电路在串联电流源时具有低平均正向导通电压,反向低漏电流特性,可应用于组件级光伏电源系统中作为防反或旁路保护器件。产品内部集成电荷泵、参考比较器、反偏检测及功率 MOS 驱动电路等单元。

功率MOSFET

特点

 最低反向电压: 120V

 适用于外部 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的电荷泵栅极驱动器

 低反向漏电流: ~20nA@120V

 快速响应反极性事件:典型 3μs

 较肖特基二极管具有优异的功耗性能

 工作环境温度范围宽: -40°C ~ 125°C

 采用 MSOP-8 和 SOT23-6 封装

功率MOSFET

应用:

 冗余 (N+1) 电源的有源 OR-ing

 高压接线盒、机器人、扫地机

 光伏优化、 关断器

 替代高边的PMOS或者肖特基

审核编辑 黄宇

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