FT8783ND1低成本高性能5V2A电源芯片方案过认证

在当今竞争激烈的电源市场中，如何在保证性能的同时降低成本，是每个工程师都面临的挑战。传统方案如LP3783A虽然可靠，但其复杂的外围电路和高昂的物料成本，已难以满足市场对低成本、高性能电源的需求。FT8783ND1凭借其创新的原边反馈技术和集成的功率管，为5 V/2 A电源设计提供了一种全新的解决方案，不仅大幅简化了电路设计，降低了成本，还轻松满足了六级能效要求，为工程师们带来了新的选择。

芯片速览：FT8783ND1为何能替代LP3783A

项目	FT8783ND1	LP3783A
反馈方式	原边PSR，无光耦	副边+光耦+TL431
功率管	内置NPN 700 V	外置MOSFET
待机功耗	<75 mW@230 V	≈120 mW
效率	84.5 %@5 V/2 A	82 %
外围元件	19颗	28颗
封装	SOP-7	SOT23-6+TO-92

一句话：省掉光耦、431、次级检流电阻，BOM成本直接下浮12 %，人工插件减少30 %。

电路原理图：19颗料就能跑

核心拓扑——原边反激+PSR+同步整流

原理图亮点
 

无Y电容也能过EMI，靠芯片抖频+斜率补偿

VDD启动电流仅3 µA，启动电阻1.5 MΩ，0.3 s上电

短路保护：FB<0.5 V且持续36 ms，进入打嗝模式

PCB布局：单面板双元件，36 mm × 35 mm

TOP：插件件（变压器、电解、共模）

BOT：贴片件（芯片、电阻、电容）

走线口诀

高压环路（Drain→T1→Rcs→GND）<15 mm，面积<1 cm²

同步整流大电流回路（T1→D2→USB→GND）短而粗，≥1 mm铜宽

FB取样走差分，远离Drain，包地屏蔽

VDD电容紧靠芯片4脚，地单点接高压电容负极

 

EMC秘籍

抖频已集成，无需外加频率调制

变压器的辅助绕组同名端与Drain反向，抵消共模

USB口加100 µF+100 nF并联，辐射余量>9 dB

变压器规格：EE16，3绕组，自动绕线机友好

绕组	匝数	线径	感量	备注
Np	110 T	0.12 mm	1.8 mH±5 %	原边
Ns	11 T	0.35 mm×2	——	次级，铜箔亦可
Na	20 T	0.12 mm	——	辅助，给VDD供电

绕制顺序——
Np→Ns→Na，无屏蔽、无磁芯接地，普通反激结构，自动绕线机55 s/颗，人工成本再降1元。

BOM清单：19颗料

 

 

总计19颗，贴片比例>60 %，适合SMT+AI混合线。

实测数据：轻松过六级能效

测试项	115 VAC	230 VAC	六级限值
平均效率	84.5 %	84.4 %	≥84.0 %
待机功耗	68 mW	72 mW	≤75 mW
纹波	120 mV	144 mV	≤200 mV
传导余量	-8 dB	-7 dB	0 dB
辐射余量	-9 dB	-9 dB	0 dB

 

温升——芯片表面98 ℃@45 ℃环温，余量>20 K

三步完成替代LP3783A

直接换板：保持EE16变压器、MB6S桥堆、USB座

调整Rcs：1.2 Ω→1.3 Ω（恒流点2 A）

拿掉光耦+431：FB分压电阻按3 k/18 k贴回，BOM减少9颗料

审核编辑 黄宇