选型手册：VS2301BC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS2301BC 是一款面向 - 20V 低压场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT23 小封装，适配小型化低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-20V（P 沟道耐压为负值，适配 20V 低压场景）；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-4.5V\)时 77mΩ、\(V_{GS}=-3.3V\)时 87mΩ、\(V_{GS}=-2.5V\)时 103mΩ，适配不同低压逻辑驱动；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 - 3A、\(T=70^\circ\text{C}\)时 - 2.3A，满足小型负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：-12A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。

二、核心特性

• 小封装 + 多电压驱动：SOT23 封装体积极小，支持 2.5V/3.3V/4.5V 多逻辑电平驱动，适配小型化低压电路；
• 快速开关：开关特性优异，适配高频低压电源场景；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	-20	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±12	V
连续漏极电流（\(V_{GS}=-4.5V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): -3；\(T=70^\circ\text{C}\): -2.3	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	-12	A
最大功耗	\(P_D\)	1	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOT23 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配超小型电路板设计；
• 典型应用：
  • 20V 级低压小型设备的高侧负载开关；
  • 消费电子（如手机、耳机）的电源通路控制；
  • 物联网小型终端的低压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）