选型手册：VS2622AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS2622AE 是一款面向 20V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 2.5V 逻辑电平控制，采用 PDFN3x3 封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 4.8mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 5.6mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 88A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 55A，承载能力强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• 2.5V 低逻辑电平控制：适配 2.5V/4.5V/10V 多逻辑驱动，无需额外电平转换，简化电路设计；
• 快速开关 + 高效率：开关特性优异，搭配低导通电阻，提升低压电源能效；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	20	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±12	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	88	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=4.5V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 88；\(T=100^\circ\text{C}\): 55	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	280	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	28	mJ
最大功耗	\(P_D\)	3.6	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3x3 表面贴装封装，包装规格为 4000pcs / 卷，适配小型化高功率密度电路板；
• 典型应用：
  • 20V 级低压大电流 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、工业设备的中功率负载开关；
  • 小型储能设备的电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）