电子说
在当今的电子系统中,电路保护至关重要。固态断路器(SSCB)凭借其无机械触点、快速精确的短路保护等优势,成为了电路保护领域的热门选择。英飞凌推出的REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A和REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC SSCB参考设计,为工程师们提供了一个优秀的解决方案。本文将深入介绍这两款参考设计的特点、使用方法以及性能测试结果。
文件下载:Infineon Technologies SSCB参考设计.pdf
固态断路器(SSCB)与传统断路器不同,它没有用于大电流切换/换向的机械触点。这种无运动部件的设计使得SSCB具有无电弧切换的特性,减少了磨损,提高了可靠性。同时,固态开关能够提供快速、精确且可靠的短路保护。随着数字化和半导体技术的发展,SSCB还可以与智能电网技术集成,实现先进的监测、控制和安全通信功能。
英飞凌的这两款参考设计适用于16A额定电流,支持AC(110/230V)或DC(350V)电网供电,通过软件在GUI中即可进行AC或DC模式的选择。REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A采用CoolMOS™ S7T超级结功率MOSFET,而REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC则采用CoolSiC™功率MOSFET。这两款设计均采用双板架构,包括功率板和逻辑板。功率板包含功率级、气隙装置和反激式电源,逻辑板则具备低功耗功能,如为XMC MCU供电、模拟信号处理、隔离背板总线和外部用户总线基础设施。
| 两款参考设计在功率MOSFET技术、参数和过温检测方法上存在差异。具体如下表所示: | 参数 | REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A | REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC |
|---|---|---|---|
| 设计变体名称 | S7T变体 | SiC变体 | |
| 功率MOSFET技术 | CoolMOST S7T超级结 | CoolSiCTM | |
| 功率MOSFET | IPDQ60T010S7:QDPAK TSC封装 | IMDQ75R008MD1H:QDPAK TSC封装 | |
| MOSFET漏源击穿电压 | 600V | 750V | |
| MOSFET漏源导通电阻Ros(on) | 0.010Ω at Vcs = 12V, b = 50.0A, T = 25 | 0.0106Ω at Vos = 18V, Io = 90.3A, T = 25°C | |
| 过温检测方法 | 功率MOSFET嵌入式温度传感器单独Tj感应 | 两个功率MOSFET板载NTC进行源极引脚温度(Tntc)测量 |
| 这两款参考设计的关键参数如下: | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 绝对最大通道电源范围 | 90(AC) 120(DC) |
260(AC) 375(DC) |
V | ||
| 工作通道电源范围 | 100(AC) 330(DC) |
240(AC) 370(DC) |
V | ||
| 额定电流(Ta = 25°C) | 16 | A | |||
| 静态过驱动因子(Ta = 25°C) | 1.13 | ||||
| I²t限制值 | 100k | A²s | |||
| 100ms的RMS过电流(Ta = 25°C) | 80 | A | |||
| 频率模式 | DC/50/60 Hz | ||||
| 正/负OCD跳闸电流限制(di/dt: 10 - 15A/µs) | 145 | A | |||
| 最大di/dt(OCD) | 100 A/µs | ||||
| 最大MOSFET关断电流 | 见IPDQ60R010S7/IMDQ75R008MD1H数据手册 | ||||
| 污染程度 | 11 | ||||
| 过压类别 | 11 | ||||
| 最大海拔 | 2000m | ||||
| 环境工作温度(Ta) | 25 | 40 | °C |
硬件方面,功率板和逻辑板通过跳线选择可兼容不同的功率MOSFET。逻辑板上的连接器用于连接各种外部设备,如电网输入、负载输出、内部背板总线、外部用户接口总线、调试接口、TFT显示屏和键盘等。在拆卸塑料外壳时,需小心解锁前面板,避免损坏键盘和显示屏的连接电缆。
SSCB Demo GUI是与演示板进行通信的重要工具,提供了丰富的监测和可编程选项。主窗口包含连接/断开、通道开关、数据读取、图形显示、采集模式选择、错误复位、数据读取回显等功能按钮,同时还显示通道输入和输出电压、电流、输入功率、MOSFET结温等信息,以及各种状态和错误指示灯。
配置/诊断窗口可用于保存和读取SSCB的配置参数,如OCD阈值、UVP/OVP阈值、温度保护阈值、ADC校准比例因子和跳闸图表参数等。还可以进行AC/DC模式选择、Vin保护设置、过温保护设置、模拟测量和应用内V&I校准等操作。
跳闸图表窗口用于设置SSCB的跳闸图表参数,包括额定电流、RMS过电流因子、静态过驱动因子、跳闸积分等。通过该窗口可以直观地了解SSCB的跳闸边界和热限制。
实时图形窗口以~200Hz或2Hz的更新速率显示所有模拟测量值的实时图形。可以选择显示模拟信号和状态标志,支持数据导出和连续记录功能。
SSCB前面板配备了TFT显示屏和键盘,显示屏有五个页面可供选择,分别显示功率、输入电压、通道电流、频率、MOSFET温度、逻辑板NTC温度、MOSFET和继电器状态、错误标志以及硬件和软件版本信息。每个页面底部显示SSCB状态。
启动SSCB演示器的基本设置包括安装USB2CAN分析仪的USB驱动程序、开启SSCB通道电源和24V适配器电源、打开SSCB Demo GUI应用程序并选择COM端口进行连接。连接成功后,即可开始使用演示器。
在开发阶段,可以使用外部19V DC(+/-1V)电源在逻辑板或功率板上进行测试,同时在GUI中禁用UVP/OVP保护。需要注意的是,安全继电器仅适用于16A RMS电流,若需要超过该电流能力,需绕过继电器触点。
SSCB演示器通过CAN接口与PC GUI进行通信,采用隔离CAN接口,CAN版本为V2.0B active,标识符为标准11位,RX和TX标识符地址均为0x321,数据长度为8字节,波特率为500kbps。
CAN通信使用一系列命令进行数据传输,包括开关控制、数据读取、配置设置、固件更新等。具体命令和数据格式在文档中有详细说明。
在AC模式下,通道在零电压时开启,在零电流时关闭,实现了零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS),减少了开关损耗。
对正负极性的通道DC电流进行过流检测测试,观察到CoolMOS™的总关断传播延迟约为880ns,CoolSiC™约为420ns。通过改变DC电源幅度,测试了不同di/dt下的OCD性能。
SSCB采用被动散热方式,通过在MOSFET顶部焊接铜散热片进行散热。在室温下,对不同DC电流进行热测量,观察到CoolMOS™ S7T的过温保护设置为Tj = 150°C,SiC变体在散热片温度超过140°C时关闭通道。由于MOSFET和NTC之间的热电容和NTC响应时间的影响,在高脉冲电流水平下,Tntc或TNT的测量值不如热电偶准确。
英飞凌的REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A和REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC SSCB参考设计为工程师们提供了一个功能强大、性能可靠的固态断路器解决方案。通过丰富的保护和监测功能、可编程的GUI界面以及良好的热性能,这两款参考设计适用于各种需要高效电路保护和控制的应用场景。在使用过程中,工程师们需要注意安全事项,合理设置参数,以充分发挥其优势。你在实际应用中是否遇到过类似的固态断路器设计问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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