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在当今的电子设计领域,数据传输的高效性和稳定性至关重要。DS90CR286AT - Q1作为一款高性能的LVDS接收器,在众多应用场景中展现出了强大的优势。今天,我们就来深入探讨一下这款器件的特性、应用以及设计要点。
文件下载:ds90cr286at-q1.pdf
DS90CR286AT - Q1是一款符合汽车类AEC - Q100 2级标准的接收器,它能够将四条LVDS(低压差分信令)数据流转换回28位并行LVCMOS数据。其工作频率范围为20MHz至66MHz,在输入时钟速率为66MHz时,每条LVDS输入线路以462Mbps的位速率运行,最大吞吐量达1.848Gbps,能够满足高速数据传输的需求。
该接收器具有20MHz至66MHz的移位时钟支持,输出时钟占空比为50%,且在接收端输出拥有出色的建立和保持时间,能够确保数据的准确传输。其66MHz(最差情况下)的接收功耗小于270mW(典型值),接收端省电模式功耗小于200μW(最大值),在性能和功耗之间取得了良好的平衡。
静电放电(ESD)额定值为4kV(HBM)和1kV(CDM),使其在复杂的电磁环境中仍能稳定工作。同时,锁相环(PLL)无需外部组件,与TIA/EIA - 644 LVDS标准兼容,进一步提高了其可靠性和兼容性。
器件的工作温度范围为−40°C至+105°C,能够适应各种恶劣的工作环境,适用于汽车、工业等多个领域。
DS90CR286AT - Q1的应用范围十分广泛,包括但不限于以下几个方面:
DS90CR286AT - Q1具有多个引脚,每个引脚都有其特定的功能。例如,RxIN±为LVDS差分数据输入,RxCLKIN±为LVDS差分时钟输入,RxOUT[27:0]为LVCMOS数据输出,RxCLK OUT为LVCMOS时钟输出等。在设计过程中,需要根据实际需求正确连接这些引脚,并确保引脚的信号质量。
为了确保器件的稳定运行,需要提供稳定的电源供应。建议在每个VCC和接地平面之间使用三个并联的去耦电容(多层陶瓷类型,表面贴装形式),电容值分别为0.1μF、0.01μF和0.001μF,优先选择0402尺寸的电容。同时,应将旁路电容尽可能靠近VCC引脚放置,并确保每个电容都有自己的过孔连接到接地平面。如果电路板空间有限,应优先对PLL的VCC进行滤波或旁路处理,其次是LVDS的VCC引脚,最后是逻辑VCC引脚。
在高速设计中,电路板布局对信号完整性至关重要。以下是一些布局设计的建议:
在使用DS90CR286AT - Q1进行设计时,需要确定以下设计参数:
根据端点面板显示的像素数量和刷新率,可以计算出接收器时钟所需的工作频率。计算公式为: [f{Clk} = [H{Active} + H{Blank}] times [V{Active} + V{Blank}] times f{Vertical}] 其中,(H{Active}) 为有效显示的水平行数,(H{Blank}) 为水平消隐期行数,(V{Active}) 为有效显示的垂直行数,(V{Blank}) 为垂直消隐期行数,(f_{Vertical}) 为刷新率(Hz)。
如果具体的消隐间隔未知,可以将消隐间隔的像素数量近似为有效像素的20%,使用以下公式进行保守估算: [f{Clk} approx H{Active} times V{Active} times f{Vertical} times 1.2]
确保LVCMOS输出与端点显示的RGB映射要求对齐。对于8位RGB数据,有两种常见的映射拓扑:LSBs映射到RxIN3±和MSBs映射到RxIN3±。在设计时,需要根据实际需求选择合适的映射方式。
在将接收器设计到系统应用中时,评估RSKM的可用性是非常重要的。由于时钟抖动和ISI的影响,实际系统中的LVDS发射器和接收器在每个位位置都有最小和最大脉冲和选通位置。为了提高RSKM性能,可以通过提前或延迟LVDS时钟相对于LVDS数据的方式来调整Rx选通位置与Tx脉冲位置的关系。当左位裕度小于右位裕度时,可以延迟LVDS时钟;当右位裕度小于左位裕度时,可以均匀延迟所有LVDS数据对。
DS90CR286AT - Q1作为一款高性能的LVDS接收器,具有诸多优秀特性和广泛的应用前景。在设计过程中,我们需要充分考虑其引脚配置、电源供应、布局设计以及应用设计流程等方面的要点,以确保其性能的充分发挥。希望通过本文的介绍,能够帮助电子工程师们更好地理解和应用这款器件,在实际设计中取得更好的效果。大家在使用DS90CR286AT - Q1的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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