2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选

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2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选

在电子工程师的日常工作中,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们就来深入探讨英飞凌(Infineon)的两款出色产品——2ED1324S12P/2ED1323S12P 1200V半桥栅极驱动器,看看它们在工业和商业应用中能为我们带来怎样的惊喜。

文件下载:Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1200V高压侧和低压侧驱动器.pdf

产品概述

这两款驱动器属于2ED132x系列,专为控制半桥配置中最大阻断电压为+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而设计。采用独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅(SOI)技术,具有出色的瞬态电压耐受性,且不存在寄生晶闸管结构,在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。

产品特性剖析

电气特性

  • 高电压耐受性:浮动通道专为自举操作而设计,最大自举电压(VB节点)可达+1225V,VS节点工作电压高达+1200V,还具备100V的负VS瞬态电压抗扰度。
  • 输出能力:具有2.3A / 2.3A的峰值输出源/灌电流能力,能够为功率器件提供足够的驱动电流。
  • 传播延迟:传播延迟典型值为500ns,确保信号能够快速准确地传输。
  • 工作电压范围:VCC工作电压范围为13V至20V(典型值),为电路设计提供了一定的灵活性。

保护功能

  • 过流保护(OCP):集成了超快速过流保护功能,参考阈值精度高达±5%,从过流检测到输出关断的时间小于1μs,能有效保护功率器件免受过大电流的损害。
  • 欠压锁定(UVLO):对VCC(逻辑和低侧电路)和VBS(高侧电路)电源都提供欠压锁定保护,确保只有在栅极电源电压足够时才驱动外部功率器件,避免功率器件因低电压驱动而产生高导通损耗。
  • 直通保护(仅限2ED1324S12P):配备直通保护电路,防止高低侧开关同时导通,提高了电路的安全性。
  • 有源米勒钳位(AMC)和短路钳位(SCC):有源米勒钳位可在高dV/dt情况下通过低阻抗路径吸收米勒电流,避免使用负电源电压;短路钳位可在短路时将IGBT的栅极电压限制在略高于电源电压的水平。

其他特性

  • 集成自举二极管:集成了超快速自举二极管,其动态电阻有助于避免在初始充电时产生极高的浪涌电流,同时降低成本并提高可靠性。
  • 死区时间和匹配传播延迟:2ED1324S12P具有集成的死区时间保护电路,可确保在一个功率开关完全关断后再开启另一个功率开关;同时,两款驱动器都具有匹配的传播延迟电路,使高低侧通道对输入信号的响应时间基本一致。
  • 输入逻辑兼容性:输入引脚基于TTL和CMOS兼容的输入阈值逻辑,独立于VCC电源电压,具有典型的高阈值(VIH)为2.0V和低阈值(VIL)为0.9V,以及较宽的滞后(典型值为1.1V),增强了抗噪能力。

应用信息

典型应用场景

这两款驱动器适用于多种工业和商业应用,如工业驱动器、泵和风扇中的电机控制嵌入式逆变器、商用和轻型商用空调等。

设计要点

  • 栅极驱动:输出电流用于驱动功率开关的栅极,高侧功率开关的驱动电压为VHO,低侧为VLO。在设计时,需要根据功率器件的特性合理选择驱动参数。
  • 开关关系:输入和输出信号之间存在特定的时序关系,通过输入滤波功能可以抑制噪声。
  • 死区时间:2ED1324S12P的死区时间功能可自动插入一个时间周期,确保高低侧功率开关不会同时导通。当外部死区时间小于内部死区时间时,会自动插入最小死区时间;当外部死区时间大于内部死区时间时,栅极驱动器不会对其进行修改。
  • 自举电容计算:自举电容的选择对于高侧电源的建立至关重要。其最小值可通过公式$C{B S}=frac{Q{G T O T}}{Delta V{B S}}$计算,其中$Delta V{BS}$是开关周期内自举电容允许的最大电压降,通常为1V。同时,需要考虑多种因素对$Q_{GTOT}$的影响,如功率器件的栅极电荷、泄漏电流等。为了减少电压降,建议使用低ESR的陶瓷电容,并将其尽量靠近IC放置。
  • PCB布局:合理的PCB布局可以减少噪声耦合和电磁干扰,提高电路的稳定性。例如,应将与浮动电压引脚(VB和VS)相连的组件靠近设备的高压部分;避免在高压浮动侧下方或附近放置接地平面;尽可能减小栅极驱动回路的面积,以降低电磁耦合和自开启效应的可能性。

产品比较与选型

2ED1324S12P和2ED1323S12P在一些特性上有所差异,具体如下: 销售产品名称 封装类型 源/灌驱动(峰值 - A) 关键特性 交叉传导预防 集成死区时间 集成自举二极管 ton/ toff(典型值)
2ED1324S12P PG - DSO - 20 - U03 +2.3/ -2.3 OCP, AMC, SCC, RFE 380 ns 500 ns
2ED1323S12P PG - DSO - 20 - U03 +2.3/ -2.3 OCP, AMC, SCC, RFE 350 ns

在选型时,工程师需要根据具体的应用需求来选择合适的产品。如果需要交叉传导预防和集成死区时间功能,2ED1324S12P是更好的选择;如果对这些功能要求不高,2ED1323S12P可能更适合。

总结

2ED1324S12P/2ED1323S12P 1200V半桥栅极驱动器凭借其出色的电气特性、丰富的保护功能和良好的应用适应性,为电子工程师在设计高电压半桥电路时提供了可靠的解决方案。在实际应用中,我们需要充分了解其特性和应用要点,合理选择和设计相关电路参数,以确保系统的稳定性和可靠性。你在使用类似栅极驱动器时,遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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