电子说
在电力电子设计领域,栅极驱动器是驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管的关键组件。今天,我们将深入探讨英飞凌(Infineon)的EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F和1ED314xMC12H单通道隔离栅极驱动器(1ED - X3 Compact),了解其特性、应用场景、电气参数及设计要点。
文件下载:Infineon Technologies EiceDRIVER™ X3紧凑型IC.pdf
EiceDRIVER™ 1ED314xMx12x系列是高性能的单通道隔离栅极驱动器,采用无芯变压器技术实现电气隔离。该系列有150 - mil的8引脚封装(1ED314xMU12F)和300 - mil的8引脚封装(1ED314xMC12H)两种可选,可提供高达6.5A的典型输出电流,输入逻辑引脚支持3.3V至6.5V的宽输入电压范围,能很好地适配3.3V微控制器。
该系列栅极驱动器适用于多种电力电子应用,包括电动汽车充电、储能系统、太阳能逆变器、服务器和电信开关电源、UPS系统、交流和无刷直流电机驱动以及商业暖通空调系统等。
| 产品类型 | 典型UVLO (VuvLoLz/VuVLoH2) | 典型输出电流源/灌 | 输出配置 | UL1577认证 | 封装标识 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1ED3140MU12F | 8.5V/9.3V | 6A/6.5A | 独立输出 | E311313 | 3140MU12 |
| 1ED3141MU12F | 11.0V/12.0V | 6A/6.5A | 独立输出 | E311313 | 3141MU12 |
| 1ED3142MU12F | 12.5V/13.6V | 6A/6.5A | 独立输出 | E311313 | 3142MU12 |
| 产品类型 | 典型UVLO (VuvLoLz/ VUVLOH2) | 典型输出电流源/灌 | 输出配置 | UL1577认证 | IEC 60747 - 17认证 | 封装标识 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1ED3141MC12H | 11.0V/12.0V | 6A/6.5A | 独立输出 | E311313 | 计划中 | 3141MC12 |
| 1ED3142MC12H | 12.5V/13.6V | 6A/6.5A | 独立输出 | E311313 | 计划中 | 3142MC12 |
| 1ED3143MC12H | 11.0V/12.0V | 6A/6.5A | UVLO参考GND2 | E311313 | 计划中 | 3143MC12 |
| 1ED3144MC12H | 12.5V/13.6V | 6A/6.5A | UVLO参考GND2 | E311313 | 计划中 | 3144MC12 |
| 1ED3145MC12H | 可调 | 6A/6.5A | 可调UVLO | E311313 | 计划中 | 3145MC12 |
了解器件的绝对最大额定值对于确保其安全可靠运行至关重要。例如,输入侧电源电压范围为 - 0.3V至17V,输出侧电源电压范围为 - 0.3V至35V等。在实际应用中,应避免超出这些额定值,以免对器件造成永久性损坏。
推荐的工作条件为输入侧电源电压3.0V至15V,不同型号的输出侧电源电压有所差异。遵循这些条件能保证器件在最佳性能下工作。
该封装适用于额定绝缘,具有最大环境安全温度150°C,最大输入和输出侧功率耗散等安全限制值。同时,外部间隙和爬电距离均大于4mm,比较漏电起痕指数CTI > 600,绝缘耐压为3000V(rms)。
除了具备与150 mil封装类似的安全特性外,还满足IEC 60747 - 17标准,具有更高的绝缘性能,如外部间隙和爬电距离大于8mm,最大额定瞬态隔离电压8000V(峰值)等。
通过特定的测试电路来测量共模瞬态抗扰度(CMTI),确保器件在高速开关应用中能有效抵抗共模干扰。
通过监测电源电压的变化,确定UVLO的阈值和滞回特性,保证器件在欠压情况下能可靠关断。
使用特定的测试电路和信号,测量器件的传播延迟、上升和下降时间,评估其动态性能。
不同型号的驱动器适用于不同的应用场景,如采用独立输出的型号可使用独立栅极电阻,优化物料清单;具有GND2引脚的型号在双极性电源应用中能提供更有效的UVLO保护。
为确保驱动器正常工作,需在输入和输出侧电源引脚放置合适的去耦电容。输入侧建议使用100nF的低ESR多层陶瓷电容,输出侧根据单极性或双极性电源情况,选择合适的电容值,以存储足够的能量并减少电压降。
IN + 和IN - 引脚可采用差分信号输入,提高共模噪声抑制能力;也可将其中一个引脚用于使能、关断或互锁等功能,增强系统的控制灵活性。
栅极电阻对功率晶体管的开关速度和性能有重要影响。选择合适的栅极电阻可优化开关损耗、限制电压和电流的过冲与振荡。可根据功率晶体管数据手册中的参数,结合实际应用的电源条件,计算出初始的栅极电阻值,再通过进一步的评估和调整确定最终值。
对于1ED3145型号,可通过电阻分压器调整输出UVLO电平,以满足不同应用的需求,提高系统的可靠性。
合理的PCB布局对驱动器的性能至关重要。应确保输入和输出侧的去耦电容靠近引脚,缩短去耦回路;减小栅极电流回路的面积,降低杂散电感;避免输入信号靠近噪声源,可采用外部RC滤波器增强滤波效果;对于可调UVLO型号,需注意UVLO电路的布局,避免受到开关噪声的干扰。
英飞凌还提供了一系列相关的IGBT和SiC MOSFET产品,如TRENCHSTOP™ IGBT离散器件和CoolSiC™ SiC MOSFET离散器件及模块,可与EiceDRIVER™ 1ED314xMx12x系列栅极驱动器搭配使用,满足不同功率和电压等级的应用需求。
EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F和1ED314xMC12H系列栅极驱动器凭借其高性能、高可靠性和丰富的保护功能,为电力电子设计提供了优秀的解决方案。在实际应用中,工程师需根据具体的应用场景和需求,合理选择型号,正确设置参数,并优化PCB布局,以充分发挥该系列驱动器的优势,打造高效、稳定的电力电子系统。大家在使用过程中遇到过哪些问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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