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在高速数据传输的领域里,中继器扮演着至关重要的角色,它能有效补偿信号传输过程中的损耗,确保数据的准确传输。今天,我们就来详细探讨一下德州仪器(TI)的DS125BR800A,一款低功耗、高性能的多协议中继器。
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DS125BR800A是一款专门设计用于支持PCIe、SAS和其他高速接口串行协议的中继器,最高数据速率可达12.5 Gbps。它具有8个通道,每个通道的接收器都配备了连续时间线性均衡器(CTLE),能在6.25 GHz(12.5 Gbps)下提供高达30 dB的增益,即使输入信号因符号间干扰(ISI)而完全闭合,也能将其眼图打开,确保主机控制器实现无差错的端到端链路。
DS125BR800A有三种工作模式,分别是引脚控制模式(ENSMB = 0)、SMBus从模式(ENSMB = 1)和SMBus主模式(ENSMB = 浮动),下面我们来详细了解一下。
在引脚控制模式下,均衡和去加重可以通过引脚独立选择。对于PCIe应用,RXDET引脚可提供输入终端(50Ω或>50K)的自动和手动控制。MODE设置也可以通过引脚进行控制,包括Gen 1/2、自动检测和SAS - 3 / PCIe Gen 3等模式。此外,接收器的电气空闲检测阈值还可以通过SD_TH引脚进行调整。
当处于SMBus模式时,输出幅度(VOD)、均衡、去加重和终端禁用等功能都可以在单个通道的基础上进行编程,而不是像引脚模式那样按A或B分组。一旦ENSMB被置位,EQx和DEMx功能将立即转为寄存器控制,EQx和DEMx引脚将转换为AD0 - AD3 SMBus地址输入。其他外部控制引脚(MODE、RXDET和SD_TH)仍然有效,除非相应的寄存器被写入并且设置了适当的覆盖位,此时它们将被忽略,直到ENSMB被拉低(引脚模式)。
DS125BR800A支持通过SMBus主模式直接从外部EEPROM设备读取数据。在使用该模式时,需要遵循一些特定的准则,如最大EEPROM大小为8 kbits(1024 x 8位),设置ENSMB = 浮动以启用SMBUS主模式,外部EEPROM设备地址字节必须为0xA0'h,并且能够在2.5V和3.3V电源下以400 kHz的频率运行等。
了解设备的绝对最大额定值对于确保其安全可靠运行至关重要。DS125BR800A的绝对最大额定值包括电源电压、LVCMOS输入/输出电压、CML输入电压和电流、结温、存储温度、焊接温度等。例如,2.5V模式下的电源电压范围为 -0.5V至 +2.75V,3.3V模式下的电源电压范围为 -0.5V至 +4.0V。
在推荐工作条件下,设备能够实现最佳性能。DS125BR800A的推荐工作条件包括电源电压、环境温度、SMBus电压和电源噪声等。例如,2.5V模式下的电源电压推荐范围为2.375 - 2.625V,3.3V模式下为3.0 - 3.6V。
文档中还详细列出了DS125BR800A的各种电气特性参数,如功率耗散、LVCMOS/LVTTL直流规格、CML接收器输入特性、高速输出特性、均衡和去加重特性等。这些参数对于工程师进行电路设计和性能评估非常重要。
SMBus接口与SMBus 2.0物理层规范兼容。通过设置ENSMB = 1kΩ至VDD,可以启用SMBus从模式并访问配置寄存器。DS125BR800A在SMBus模式下具有AD[3:0]输入,用于设置SMBUS从地址。SDA和SCL引脚为3.3V耐压,但不支持5V耐压,需要在SDA上使用外部上拉电阻。
在正常操作期间,SDA上的数据必须在SCL为高电平时保持稳定。SMBus有三种独特的状态:START、STOP和IDLE。设备支持WRITE和READ事务,通过特定的协议进行寄存器的读写操作。
在进行PCB布局时,需要注意一些关键要点。CML输入和输出应使用85 - 100Ω的受控差分阻抗互连,尽量在电路板的同一层上布线差分线,避免使用过孔。为了确保DS125BR800A获得充足的电源,建议将电源(VDD)和接地(GND)引脚连接到相邻层的电源平面,并使用适当的旁路电容。
文档中还提供了DS125BR800A的典型性能曲线和眼图,包括功率耗散与输出差分电压的关系、输出差分电压与电源电压和温度的关系等。这些曲线和眼图可以帮助工程师直观地了解设备在不同条件下的性能表现,为电路设计和优化提供参考。
DS125BR800A作为一款低功耗、高性能的多协议中继器,具有出色的系统互操作性、先进的信号调理功能和灵活的配置接口。在高速数据传输应用中,它能够有效补偿信号损耗,确保数据的准确传输。然而,在实际应用中,我们还需要根据具体的需求和条件,合理选择工作模式、进行PCB布局和电源旁路设计,以充分发挥其性能优势。你在使用类似中继器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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