晶圆去胶后清洗干燥一般用什么工艺

晶圆去胶后的清洗与干燥工艺是半导体制造中保障良率和可靠性的核心环节，需结合化学、物理及先进材料技术实现纳米级洁净度。以下是当前主流的工艺流程：

一、清洗工艺

多阶段化学清洗

• SC-1溶液（NH₄OH+H₂O₂+H₂O）：去除有机污染物和颗粒，通过碱性环境氧化分解有机物。
• 稀氢氟酸（DHF）处理：选择性蚀刻残留氧化物，暴露新鲜硅表面，改善后续薄膜附着性。
• SC-2溶液（HCl+H₂O₂+H₂O）：中和碱性残留并钝化金属离子污染。

物理增强技术

• 兆声波清洗：高频振动剥离纳米级颗粒，避免损伤晶圆表面。
• 高压喷淋与双向旋转清洗：通过流体动力学优化冲刷路径，提升复杂结构的清洁效率。

创新预处理技术

• 臭氧活化：利用强氧化性自由基降解顽固有机物，为后续清洗提供均一化表面能。
• 激光辅助清洗：精准定位污染物区域，瞬时汽化残留物。

二、干燥工艺

旋转甩干

• 高速离心力使液体向外排出，结合温控加速蒸发，适用于平坦表面。

氮气吹扫干燥

• 高纯度氮气形成惰性保护层，防止氧化；智能风刀定向清除积水区域。

异丙醇蒸汽干燥

• IPA置换水分后汽化吸湿，低表面张力避免毛细管效应导致的图案塌陷。

超临界CO₂干燥

• 无液相界面张力，适合MEMS器件等脆弱结构。

真空热处理

• 低温烘烤促使水分升华，常用于封装前最终干燥步骤。

现代工艺趋向于集成化设计，将清洗与干燥视为连续工序进行整体优化。企业在选择具体方案时，应综合考虑设备投资成本、生产节拍以及目标市场对产品性能的要求。