选型手册：VSI080N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSI080N06MS 是一款面向 60V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-251-S 封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 8.6mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 10.5mΩ，低压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 16A、\(T=70^\circ\text{C}\)时 9.6A，满足中功率负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：35A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• 快速开关：开关特性优异，适配高频低压电源场景；
• 高可靠性：单脉冲雪崩能量达 176mJ，抗冲击能力较强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	60	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±16	V
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 16；\(T=70^\circ\text{C}\): 9.6	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	35	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	176	mJ
最大功耗	\(P_D\)	10	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-251-S 直插封装，包装规格为 80pcs/Tube，适配常规电路板设计；
• 典型应用：
  • 60V 级低压中功率 DC/DC 转换器；
  • 工业设备、消费电子的中功率负载开关；
  • 低压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）