选型手册：VS6038AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS6038AD 是一款面向 60V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252/TO-251 封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：典型值 35mΩ（\(V_{GS}=10V\)），中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 25A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 16A，承载能力较强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：100A（大散热片下，\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• 高雪崩可靠性：雪崩测试覆盖至最大结温，提升极端场景下的稳定性；
• 快速开关：开关特性优异，适配高频中压电源场景；
• 环保合规：满足无铅及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	60	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	25	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 25；\(T=100^\circ\text{C}\): 16	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	100	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	38	mJ
最大功耗	\(P_D\)	36	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-65~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252（表面贴装）/TO-251（直插）封装，适配不同电路板设计；
• 典型应用：
  • 60V 级中压中功率 DC/DC 转换器；
  • 工业设备、消费电子的中压负载开关；
  • 中压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）