SN65HVD101和SN65HVD102:IO-Link PHY的卓越之选

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SN65HVD101和SN65HVD102:IO-Link PHY的卓越之选

在工业自动化领域,IO-Link技术凭借其高效、灵活的数据传输能力,成为了设备通信的重要标准。而SN65HVD101和SN65HVD102作为TI推出的两款IO-Link PHY(物理层)芯片,为工业设备节点的通信提供了强大的支持。今天,我们就来深入了解一下这两款芯片的特性、应用及设计要点。

文件下载:sn65hvd102.pdf

一、芯片特性

1. 可配置输出与接口

SN65HVD101和SN65HVD102的IO-Link驱动输出(CQ)支持推挽、高端或低端配置,通过EN和TX输入引脚即可轻松实现。PHY接收器能将CQ引脚上的24V IO-Link信号转换为RX引脚上的标准逻辑电平,再利用简单的并行接口,就能在PHY和本地控制器之间实现数据和状态信息的收发。

2. 全面的保护功能

这两款芯片具备过流、过压和过温保护特性。以过流保护为例,可通过外部电阻设置IO-Link驱动电流限制。当出现短路电流故障时,驱动输出会被内部限制,同时PHY会生成错误信号(SC)。而过温保护则能在芯片温度过高时自动关闭相关功能,确保设备安全。

3. 电源管理优势

SN65HVD102可由单一外部3.3V或5V本地电源供电,而SN65HVD101更集成了线性稳压器,能从IO-Link的L+电压中生成3.3V或5V电压,为PHY、本地控制器及其他电路供电,大大简化了电源设计。

4. 紧凑封装设计

它们采用20引脚的QFN封装(4mm × 3.5mm),非常适合对空间要求较高的应用场景。

二、应用场景

SN65HVD101和SN65HVD102适用于各种IO-Link设备节点,如传感器、执行器等。在工业自动化生产线中,它们能实现设备与主控制器之间的稳定通信,确保数据的准确传输和设备的可靠运行。

三、技术规格详解

1. 绝对最大额定值

芯片对各种电压、电流和温度都有明确的最大额定值限制。例如,线路电压在稳态下为 -40V至40V,瞬态脉冲宽度小于100μs时为 -50V至50V。超出这些额定值可能会对芯片造成永久性损坏,因此在设计时必须严格遵守。

2. ESD(静电放电)额定值

芯片的ESD额定值为人体模型(HBM)+2000V,这意味着它在一定程度上能抵抗静电干扰,但在实际使用中,仍需采取适当的静电防护措施,如使用防静电包装、接地等。

3. 推荐工作条件

为了保证芯片的性能和可靠性,推荐的工作条件包括线路电压9V至36V(最佳范围为18V至30V)、逻辑电源电压3V至5.5V等。在设计电源和信号输入时,应尽量使芯片工作在这些推荐条件下。

4. 热性能信息

了解芯片的热性能参数对于散热设计至关重要。例如,SN65HVD10x的结到环境热阻(RaJA)为33.8°C/W,这表明在芯片功耗一定的情况下,能计算出结温和环境温度的差值,从而合理设计散热方案。

四、功能模式与工作原理

1. 唤醒检测

当设备处于SIO模式且主节点发起通信时,主节点会驱动CQ线改变状态,并根据IO-Link规范提供唤醒电流。SN65HVD1XX能检测到这种唤醒条件,并通过WAKE引脚通知本地微控制器。需要注意的是,只有符合特定时长的唤醒脉冲才能触发WAKE引脚,其他过流情况则不会使该引脚产生响应。

2. 电流限制指示

芯片的内部电流限制指示器与唤醒逻辑相关联,只有在特定的CQ电压条件下才会激活。当CQ输出电流超过内部设定的电流限制且持续时间超过一定值时,CUR_OK引脚会变为低电平,指示过流情况;而当CQ电压处于正常范围时,CUR_OK引脚保持高阻态。

3. 过温检测

一旦芯片内部温度超过过温阈值,CQ驱动器和电压调节器(仅SN65HVD101)会被禁用。当温度下降到阈值以下时,相关功能会根据EN和TX引脚的状态重新启用。

4. 设备功能模式

SN65HVD101和SN65HVD102支持三种工作模式:N开关SIO模式、P开关SIO模式和推挽/通信模式。通过设置TX和EN引脚的电平,就能轻松切换不同的工作模式,以满足不同的应用需求。

五、应用设计实例

1. 典型应用设计

以SN65HVD101为例,在设计一个具有浪涌保护的数字输出驱动器时,需要考虑诸多因素。首先,要根据设计要求选择合适的参数,如输入电压范围、最大负载电流、输出电压等。然后,按照以下步骤进行详细设计:

  • 设备配置:选择24V标称直流电源作为L+,通过设置外部电阻RSET调整CQ驱动电流限制,将Vcc_SET连接到地以获得3.3V的Vcc_OUT输出,连接Vcc_IN和Vcc_OUT以确保电压调节正常等。
  • 温度检查:计算芯片的内部功耗和结温与环境温度的差值,确保最大结温不超过推荐值,避免芯片过热损坏。
  • 瞬态保护:采用常见的浪涌抗扰度测试方法,使用TVS(瞬态电压抑制器)二极管进行瞬态保护。在选择TVS二极管时,要考虑其最大工作峰值电压、最小击穿电压、最大钳位电压等参数,并根据实际应用情况对其峰值功率进行降额处理。

2. 不同负载应用场景

  • 白炽灯负载:白炽灯的灯丝电阻随温度变化显著,启动时的“浪涌”电流较大。SN65HVD10x的CQ输出能在灯丝预热过程中保持所选的电流限制,最终稳定在稳态电流水平。在这种应用中,通常使用两个TVS二极管保护CQ和L+线路到地。
  • 电感负载:当驱动电感负载时,如继电器,在开关过程中会产生电压变化。使用三个TVS二极管能有效限制L+和CQ之间的电压差,确保芯片安全。

六、电源供应与布局建议

1. 电源供应

SN65HVD101和SN65HVD102的L+引脚建议使用24V标称电源,并通过至少1μF/60V的陶瓷电容进行缓冲,电容应尽量靠近芯片引脚,以减少电源波动。

2. 布局设计

  • 电路板层设置:推荐使用4层电路板,分别用于控制信号、电源地、24V电源平面和稳压输出电源,以降低电感,提高信号稳定性。
  • 元件放置:将TVS二极管靠近连接器放置,防止瞬态能量进入电路;使用两个过孔连接TVS二极管或电容到L - 和L+平面,保持低电感。
  • 引脚连接:将所有开漏控制输出和接收器输出通过10kΩ上拉电阻连接到Vcc_OUT平面,为系统控制器输入提供稳定的电压;将收发器使能引脚通过10kΩ下拉电阻连接到地,确保上电时驱动输出禁用。

七、总结

SN65HVD101和SN65HVD102以其丰富的功能、可靠的性能和灵活的配置,为工业设备节点的IO-Link通信提供了理想的解决方案。在实际设计过程中,我们需要充分考虑芯片的各项特性和技术规格,合理选择元件和布局,以确保系统的稳定性和可靠性。希望通过本文的介绍,能帮助各位工程师更好地掌握这两款芯片的设计要点,实现更高效的工业设备通信设计。

各位工程师朋友,你们在使用IO-Link技术或相关芯片时,遇到过哪些有趣的问题或挑战呢?欢迎在评论区分享交流。

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