年终盘点：英飞凌2025年碳化硅领域重磅产品与技术惊艳亮相

岁末将至，回顾2025年科技领域，英飞凌在碳化硅（SiC）赛道成绩斐然，凭借一系列创新产品与前沿技术，为行业发展注入强劲动力，成为行业瞩目的焦点。小编贴心地按照产品发布和技术发布这两大板块，给大家挑选部分亮点产品，方便各位看官全方位了解，咱们这就开整！

 

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产品发布：

多元布局，精准覆盖多领域需求

 

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CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V单管：多种封装组合全面升级，满足多样化应用场景

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CoolSiC MOSFET G2 1200V单管

CoolSiC MOSFET G2 1400V单管

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2025年，英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V单管多种封装组合，为市场带来了更多选择。

 

CoolSiC 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而降低寄生元件和杂散电感的影响，同时提供增强的热管理性能。适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。

 

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO-247以及TO-247 Plus Reflow封装，产品最低导通电阻可低至6mΩ，性能指标行业领先。面对高母线电压应用进行了优化设计，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景，该系列产品的功率管脚加粗至2mm，使得器件能够承受更大的电流，背板回流焊的设计，提升了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。

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EasyPACK C系列碳化硅功率模块：

全新封装，性能飞跃，引领工业应用新潮流

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2025年10月，英飞凌重磅推出EasyPACK C系列封装碳化硅功率模块。该模块集成了英飞凌CoolSiC MOSFET 1200V G2技术，并采用公司专有的.XT互连技术，实现了多项性能突破。功率密度较上一代提升超过30%，使用寿命延长高达20倍，导通电阻（RDS(on)）显著降低约25%。其封装设计理念不仅提高了功率密度与布局灵活性，更为未来更高电压等级的产品设计奠定了坚实基础。

 

在实际应用中，该模块表现出色。可承受结温（Tvj(over)）高达200°C的过载开关工况，搭载全新PressFIT压接引脚，电流承载能力提升一倍，同时降低PCB板的温度，并优化安装流程。全新的塑封材质与硅凝胶设计，支持模块在最高175°C的结温（Tvj(op)）下稳定运行，且具备一分钟内耐受3千伏交流电的隔离等级。这些特性使其在快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统以及不间断电源设备等工业应用中脱颖而出，成为推动行业发展的重要力量。

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高压3300V XHP：

高压大功率领域的“性能王者”

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英飞凌推出的3.3kV CoolSiC MOSFET XHP2模块，凭借创新“.XT互连技术”脱颖而出。其额定电流1000A，25°C时导通电阻低至1.9mΩ，支持4kHz高频开关，显著降低损耗、提升系统效率。该模块可靠性升级，采用芯片表面覆铜、铜键合线、AlN陶瓷基板及银烧结技术，热阻降低30%，瞬态散热能力大幅提升。关键性能测试超越行业标准，浪涌电流峰值达10000A，短路耐受3μs安全关断，功率循环寿命提升10倍。在轨道交通、风电变流器、工业驱动等场景优势尽显，或成高压应用“黄金选择”。

 

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技术发布：

前瞻布局，引领行业技术发展方向

 

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基于200mm晶圆技术的碳化硅产品：提升效率，降低成本，拓展高压应用新领域

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2025年第一季度，公司宣布向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产，为该技术的量产和广泛应用提供了有力保障。

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CoolSiC JFET技术：

卓越性能，开启多领域应用新篇章

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2025年5月，英飞凌发布的CoolSiC JFET技术成为行业关注的焦点。该技术拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，为众多应用领域带来了新的解决方案。第一代CoolSiC JFET拥有最低值为1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具备可扩展的电流处理能力。为应对严苛应用环境中的散热和机械问题，CoolSiC JFET采用.XT互连技术与扩散焊接工艺，从而显著降低了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提升了其可靠性。

 

在固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等领域，CoolSiC JFET技术都展现出了巨大的应用潜力。其卓越的性能能够有效提高设备的稳定性和可靠性，降低故障率，为各行业的安全运行提供有力支持。

 

2025年，英飞凌在碳化硅领域的产品和技术发布成果丰硕。从多元的产品布局到前沿的技术创新，英飞凌不断推动着碳化硅行业的发展和进步。未来，英飞凌有望继续凭借其强大的研发实力和创新能力，为全球科技发展带来更多惊喜，引领碳化硅行业迈向新的高度。