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在电子工程师的世界里,不断寻求高性能、高可靠性的微控制器(MCU)是永恒的追求。今天,我们就来深入剖析NXP Semiconductors推出的MCXE315/316/317/31B系列,一款具备强大功能和出色特性的5V Arm Cortex M7 MCU,且符合SIL2标准。
文件下载:NXP Semiconductors MCX E31微控制器(MCU).pdf
MCXE31系列是对Arm® Cortex® - M4F MCX E24系列芯片的进一步拓展。它采用了更高频率的Arm Cortex - M7核心,拥有更多的内存、SIL 2评级以及先进的安全模块,专注于商业和工业环境的稳健性。这使得该系列设备非常适合在电气恶劣环境下的广泛应用,并且针对成本敏感型应用进行了优化,提供了节省空间的新封装选项。同时,系列内的设备共享通用外设和引脚布局,方便开发者在芯片系列内或不同芯片系列间轻松迁移,以利用更多的内存或功能集成。
提供多种时钟源选择,包括8 - 40 MHz的快速外部振荡器(FXOSC)、48 MHz的快速内部RC振荡器(FIRC)、32 kHz的低功耗振荡器(SIRC)、32 kHz的慢速外部振荡器(SXOSC)以及系统锁相环(SPLL),满足不同应用的时钟需求。
提供LQFP48、HDQFP100、HDQFP172等多种封装选项,并且支持多达32通道的DMA,拥有多达128个请求源,通过DMAMUX实现高效数据传输。
提供丰富的调试功能,包括串行线JTAG调试端口(SWJ - DP)、调试观察点和跟踪(DWT)、串行线输出(SWO)、仪器跟踪宏单元(ITM)、CoreSight AHB跟踪宏单元(HTM)、闪存补丁和断点(FPB)以及串行线查看器(SWV),方便开发者进行调试和故障排查。
该系列中的不同型号芯片在内存、频率、通信接口等方面存在差异,以满足不同应用的需求。例如,MCXE31B拥有4 MB的程序闪存内存、512 KB的SRAM、32个DMA通道、6个FlexCAN实例、1个以太网模块和2个SAI实例等,而MCXE315的配置则相对较低。开发者可以根据具体项目需求选择合适的芯片。
在使用MCU时,需要注意绝对最大额定值。当MCU处于未供电状态时,通过芯片引脚注入的电流可能会偏置内部芯片结构,导致不可预测的芯片行为。绝对最大额定值表示内部电路承受这种情况而不造成物理损坏的能力,但并不意味着芯片在这些条件下能正常工作。
该MCU的电压和电流工作要求涵盖了多个方面,如主I/O和模拟电源电压、闪存内存电源、核心逻辑电压等。同时,对不同电压下的连续直流输入电流和注入电流总和也有明确规定。在设计电路时,需要严格遵循这些要求,以确保芯片的正常工作。
芯片的环境温度范围为 - 40 °C至135 °C,结温最大为135 °C。在实际应用中,需要考虑芯片的功耗、封装热阻、PCB属性、环境条件等因素对结温的影响,以确保芯片在安全温度范围内工作。
该MCU具备一定的静电放电(ESD)和闩锁保护能力,如人体模型(HBM)的静电放电电压为 - 2000至2000 V,带电设备模型(CDM)的静电放电电压也有相应规定。在设计和使用过程中,需要采取适当的措施来保护芯片免受ESD和闩锁的影响。
芯片的结温不仅取决于封装热阻,还与芯片功耗、PCB属性、环境条件以及PCB上其他发热IC的累积效应有关。在进行热设计时,需要采取适当的措施,如添加散热解决方案、改善PCB热性能和环境条件等,以确保芯片能够安全地散发热量,不超过最大结温。同时,建议使用封装模型进行设计和风险评估。
该MCU支持RUN和STANDBY等电源模式,不同模式之间的转换时间有所不同。例如,RUN到STANDBY的转换时间为955 ns,STANDBY到RUN的快速退出时间为53 μs,正常退出时间为80 μs。此外,还给出了不同情况下的启动时间和HSE固件内存验证时间的示例。
该MCU具备多种电源监控功能,如低电压检测(LVD)、高电压检测(HVD)、欠压复位(LVR)等,可实时监测电源电压的变化,并在异常时采取相应措施。
为了保证电源的稳定性,推荐在每个电源引脚附近使用适当的去耦电容。例如,每个电源引脚需要一个70 - 100 nF的去耦电容,输入电源需要一个4.7 μF的大容量电容等。同时,建议使用低ESR的陶瓷电容,并将其尽可能靠近相应的电源和接地引脚。
MCXE31B支持线性调节器级,带有一个专用引脚来控制外部NPN双极晶体管。文档中给出了V15调节器的电气规格,如输出电压、输入电压、源电流、吸收电流等。
文档提供了不同芯片在STANDBY、低速RUN和RUN等模式下的电源电流数据。需要注意的是,这些数据是初步的,基于首批样品,实际电流可能会因硅片分布和用户配置的不同而有所变化。
该MCU提供了多种操作模式的配置选项,如STANDBY、低速RUN和FIRC模式等。在不同模式下,核心、振荡器、闪存、外设等的工作状态和频率有所不同,开发者可以根据实际需求选择合适的模式,以实现低功耗和高性能的平衡。
循环唤醒电流是指设备在RUN模式和STANDBY模式之间周期性切换时的平均电流消耗。可以通过公式ICYCL = RUN Current According to Ratio + STANDBY Current According to Ratio来计算。文档中给出了一个具体的示例,展示了如何计算循环唤醒电流。
该MCU的GPIO引脚在3.3V范围(2.97V - 3.63V)和5.0V(4.5V - 5.5V)下的直流电气规格包括输入高、低电平阈值、输入泄漏电流、输入电容、上拉/下拉电阻、输出高/低电流等。泄漏电流与引脚类型和复用的模拟功能数量有关,在设计电路时需要根据具体情况进行考虑。
文档给出了5.0V(4.5V - 5.5V)和3.3V(2.97V - 3.63V)下GPIO输出的交流规格,如上升/下降时间等。这些规格与负载电容、驱动强度等因素有关,在进行信号完整性设计时需要参考这些参数。
毛刺滤波器参数适用于WKPU引脚和TRGMUX输入60 - 63的滤波器。脉冲在最大滤波和最小未滤波之间可能会或可能不会通过,小于最大滤波值的脉冲将被过滤,大于最小未滤波值的脉冲将不会被过滤。
文档给出了闪存内存的编程和擦除规格,如双字(64位)、页(256位)、四页(1024位)等的编程时间,以及8 KB扇区、256 KB块、512 KB块、1 MB块、2 MB块等的擦除时间。这些时间在不同的温度和使用周期下会有所变化。
闪存内存阵列完整性和边缘读取时间取决于系统频率和每次读取的时钟数,需要通过特定的公式进行计算。
闪存内存模块的寿命规格包括每个块的编程/擦除周期数和数据保留时间。不同大小的块在不同的编程/擦除条件下,其寿命有所不同。例如,256 KB和512 KB块使用扇区擦除时,每个块的编程/擦除周期数可达100,000次;1 MB和2 MB块使用扇区擦除时,每个块的编程/擦除周期数为1,000次。
闪存内存的AC时序规格包括从启动编程/擦除到完成的时间、从中止编程/擦除到完成的时间、退出低功耗模式后的恢复时间等。这些时间与系统时钟周期有关。
根据闪存频率的不同,需要设置不同的RWSC值,以确保正确的读取操作。例如,当250 KHz < 频率 ≤ 66 MHz时,RWSC设置为1。
SAR_ADC的规格包括电源电压、输入电压范围、时钟频率、采样时间、转换时间等。在使用ADC时,最佳性能可以通过仅使一个ADC同时对一个通道进行采样来实现。
电源诊断规格包括对内部监控电源的偏移、开关时间、所需的ADC采样时间等。在使用时需要注意,当V15 > VDD_HV_A + 100mV时,通过模拟多路复用器对V15的测量可能不准确。
低功耗比较器的规格包括不同模式下的电源电流、传播延迟、初始化延迟、模拟输入偏移电压、模拟比较器滞后等。在设计时,需要考虑输入信号的交叉耦合和噪声过滤问题,以及不同参考电压下的线性度。
温度传感器的规格包括监测的结温范围、V25上的导通状态电流消耗、温度输出误差、电路启动时间、所需的ADC采样时间等。需要注意的是,温度传感器测量的是芯片上特定位置的结温,其误差不包括ADC转换和温度计算公式带来的误差。
FIRC的标称频率为48 MHz,频率偏差在 - 5%至5%之间,启动时间为10 - 25 μs。
SIRC的标称频率为32 KHz,频率偏差在 - 10%至10%之间,启动时间不超过3 ms,占空比为30% - 70%。
PLL的输入频率为8 - 40 MHz,输出频率为25 - 320 MHz,VCO频率范围为640 - 1280 MHz。PLL的锁定时间不超过1 ms,在不同模式下的周期抖动和累积抖动也有相应规定。需要注意的是,抖动值仅适用于FXOSC参考时钟输入,并且在使用SSCG时,累积抖动规格无效。
FXOSC在旁路模式下的输入时钟频率不超过50 MHz,上升/下降时间不超过5 ns,占空比为47.5% - 52.5%。在晶体模式下,输出时钟频率为8 - 40 MHz。FXOSC内部集成了反馈电阻,以确保稳定振荡。在设计时,需要注意晶体的选择和负载电容的匹配,以确保启动时间和振荡稳定性。
SXOSC支持单一频率32.768 KHz,启动时间取决于电路板和晶体模型,不超过2 s,模拟电路的电源电流为2.1 - 10 μA,NMOS放大器的跨导为3 - 40 μA/V。
LPSPI提供同步串行总线,支持主从操作。其外设频率在主、从和主回环模式下有所不同,操作频率也根据不同的配置有相应规定。文档还给出了SPSCK周期、数据设置和保持时间、数据有效和无效时间等时序特性。
I2C的规格可参考I/O参数部分,支持的波特率可在参考手册的“芯片特定LPI2C信息”部分查看。
FlexCAN的规格可参考I/O参数部分,支持的波特率可在参考手册的“协议时序”部分查看
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