选型手册：VS4N65CD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS4N65CD 是一款面向 650V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配高压小功率电源管理、开关电路等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 260mΩ，高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 2.5A，满足高压小功率负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：16A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。

二、核心特性

• 高压适配：650V 耐压满足高压电源场景需求；
• 快速开关：开关特性优异，适配高频高压开关电路；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	650	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	4	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 4；\(T=100^\circ\text{C}\): 2.5	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	16	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	144	mJ
最大功耗	\(P_D\)	12.5	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配小型化高压电路板设计；
• 典型应用：
  • 650V 级高压小功率 DC/DC 转换器；
  • 高压电源的开关电路；
  • 工业设备的高压小功率负载控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）