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在电子设备的设计中,SIM卡接口的稳定与高效至关重要。NVT4558作为一款专为SIM卡与主机接口设计的电平转换器,集成了EMI滤波器和ESD保护功能,为电子工程师们提供了可靠的解决方案。今天,我们就来深入了解一下这款产品。
文件下载:NXP Semiconductors NVT4558 SIM卡接口电平转换器.pdf
NVT4558主要用于连接SIM卡和单低压(1.08 V - 1.98 V)主机侧接口。它包含三个1.62 V - 3.6 V电平转换器,可实现SIM卡与主机微控制器之间的数据、RSTn和CLKn信号的转换。该产品针对支持1.2 V I/O和1.8 V I/O的手机处理器进行了优化,并且符合ISO - 7816 SIM/Smart卡接口要求以及JEDEC JESD76 - 2对CMOS 1.2 V逻辑设备的要求。
NVT4558可应用于多种与SIM卡连接的设备,如移动电话、个人电话、无线调制解调器和SIM卡终端等。
| 型号 | 顶面标记 | 封装 | 描述 | 版本 |
|---|---|---|---|---|
| NVT4558HK | 58 | XQFN10 | 塑料,超薄四方扁平无引脚封装,10个端子,尺寸为1.40 x 1.80 x 0.50 mm | SOT1160 - 1 |

| 符号 | XQFN10引脚 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| RST_HOST | 1 | I | 来自主机控制器的复位输入 |
| VCCA | 9 | 电源 | 主机控制器侧输入/输出引脚(CLK_HOST、RST_HOST、IO_HOST)的电源电压,需用0.1 μF陶瓷电容旁路 |
| RST_SIM | 7 | O | SIM卡的复位输出引脚 |
| CLK_HOST | 2 | I | 来自主机控制器的时钟输入 |
| GND | 8 | 接地 | SIM卡和主机控制器的接地,需适当接地和旁路以满足ESD规范 |
| CLK_SIM | 6 | O | SIM卡的时钟输出引脚 |
| IO_HOST | 3 | I/O | 主机控制器的双向数据输入/输出,主机输出必须采用开漏驱动器 |
| VCCB | 4 | 电源 | SIM卡电源电压,当Vcc低于VccB_DIS时,设备禁用,需用0.1 μF陶瓷电容旁路 |
| IO_SIM | 5 | I/O | SIM卡的双向数据输入/输出,SIM卡输出必须采用开漏驱动器 |
| EN | 10 | - | 主机控制器驱动的使能引脚,正常工作时应为高电平(VCCA),低电平有助于避免关机序列中的竞争条件 |
| 根据不同的电源电压和使能引脚状态,NVT4558有不同的工作模式,具体如下: | 电源电压 | 输入EN | 输入/输出 | 工作模式 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCCA | VCCB | 主机 | SIM卡 | ||||
| 1.08 V - 1.98 V | 1.62 V - 3.6 V | H | HOST = SIM Card | SIM Card = HOST | 激活 | ||
| 1.08 V - 1.98 V | 1.62 V - 3.6 V | L | 见Table 5, Condition B | 关机模式 | |||
| GND | 1.62 V - 3.6 V | X | 见Table 5, Condition B | 关机模式 | |||
| 1.08 V - 1.98 V | GND | X | 见Table 5, Condition A | 关机模式 | |||
| GND | GND | X | 见Table 5, Condition A | 关机模式 |
ISO 7816 - 3规范规定了SIM卡信号的关机序列,以确保卡正确禁用以节省电源。当使能引脚EN为低电平时,先关闭RST_SIM通道,然后依次关闭CLK_SIM和IO_SIM通道,整个关机序列在几微秒内完成。需要注意的是,在VCCA和VCCB电源关闭之前,应先将EN拉低,以确保关机序列正常启动。
若使能引脚EN连接到VCCA,当VCCB上升到VCCB_EN以上时,电平转换器逻辑自动启用;当VCCB下降到VCCB_DIS以下时,SIM卡侧驱动器和电平转换器逻辑禁用。
NVT4558的各项参数有一定的极限值,如主机电源电压VCCA为GND - 0.5到2.4 V,SIM电源电压VCCB为GND - 0.5到4.0 V等,使用时需确保不超过这些极限值,以保证设备的安全和稳定运行。
包括电源特性、静态特性和动态特性等。例如,在特定条件下,电源电流ICC在不同工作模式和频率下有不同的值;静态特性中,自动使能功能有相应的电压阈值;动态特性中,传播延迟、过渡时间等参数也有明确的范围。
建议在VCCA和VCCB输入端子分别使用低等效串联电阻(ESR)的100 nF电容,X5R和X7R类型的多层陶瓷电容(MLCC)是首选,其最大值ESR应小于500 mΩ。
电容应直接放置在端子和接地平面处,设计PCB时应使VCCA和VCCB引脚通过电容旁路,每个接地返回设备GND引脚的公共节点,以最小化接地环路。更多布局信息可参考AN13158 - NVT4858/NVT4557/NVT4558电压电平转换器布局指南。
NVT4558的I/O通道架构无需额外输入信号来控制数据流向,控制逻辑可识别第一个下降沿来控制另一侧信号。在通信错误或其他意外情况下,内部逻辑可自动防止卡住情况,使I/O在释放低电平驱动后返回高电平。RST和CLK通道仅包含单向驱动器,无方向控制机制。
采用XQFN10封装,塑料、超薄四方扁平无引脚,10个端子,尺寸为1.40 x 1.80 x 0.50 mm。
焊接是将封装连接到印刷电路板(PCB)的常见方法,有波峰焊和回流焊两种方式。波峰焊适用于通孔元件和部分SMD元件,但不适用于细间距SMD元件;回流焊适用于小间距和高密度的元件。在焊接过程中,需要考虑板规格、封装尺寸、湿度敏感度等因素。
NVT4558以其丰富的特性、广泛的应用领域和良好的兼容性,为电子工程师在设计SIM卡接口电路时提供了一个可靠且高效的选择。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择和使用该产品,并注意其各项参数和设计要点,以确保电路的稳定和性能。你在使用类似产品时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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