电子说
在现代电子设备中,不同电压电平之间的信号转换至关重要,尤其是在处理SD、SDIO、mini SD、micro SD和SIM卡等组件时。NXP的NVT4858正是一款为解决此类问题而设计的多功能电压电平转换器,下面我们将对其进行详细解析。
文件下载:NXP Semiconductors NVT4858双电压电位转换器.pdf
NVT4858是一款符合SD 3.0标准的双向双电压电平转换器,具备自动方向控制功能。它能够在工作于1.62V至3.6V信号电平的存储器或SIM卡与电源电压为1.08V至1.98V的主机之间实现完美接口。这款器件支持多种SD卡模式,包括SD 3.0 SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12以及SD 2.0 High-Speed(50 MHz)和Default-Speed(25 MHz)模式,还支持使用CLK和两条数据线的SIM卡电压电平转换,适用于SD和SIM卡组合插槽。
支持高达208 MHz的时钟速率,能够满足高速数据传输的需求,为设备提供了强大的性能支持。
完全符合SD 3.0规范,支持多种速度模式,同时也符合所有ETSI、IMT - 2000和ISO - 7816 SIM/Smart Card接口要求,确保了广泛的兼容性和可靠性。
支持SD/SIM卡1.62V至3.6V的供电电压范围,以及主机微控制器1.08V至1.98V的工作电压范围,能够适应不同的电源环境。
采用推挽输出级和先断后通架构,有效降低了功耗,延长了设备的续航时间。
通过VCCB实现自动启用和禁用,无需额外的控制信号,简化了设计流程。
集成了上拉和下拉电阻,无需外部电阻,同时还集成了EMI滤波器和8 kV ESD保护(符合IEC 61000 - 4 - 2,4级标准),减少了外部元件数量,提高了系统的稳定性和抗干扰能力。
NVT4858的应用十分广泛,涵盖了智能手机、移动手持设备、数码相机、平板电脑、笔记本电脑以及SD、MMC或microSD卡读卡器等众多领域。在这些设备中,NVT4858能够有效地实现不同电压电平之间的信号转换,确保数据的稳定传输。
| NVT4858有两种型号可供选择,分别是NVT4858UK和NVT4858HK,它们在封装形式上有所不同。 | 型号 | 顶面标记 | 封装 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| NVT4858UK | N858 | WLCSP16 | 晶圆级芯片尺寸封装,16个凸点(4x4),尺寸为1.41x1.41x0.525mm,间距0.35mm | |
| NVT4858HK | N58 | XQFN16 | 塑料、超薄方形扁平封装,无引脚,16个端子,尺寸为2.6mm x 1.8mm x 0.50mm,间距0.4mm |
| 不同型号的订购选项也有所差异,包括可订购的部件编号、包装方法、最小订购数量和温度范围等。具体信息如下: | 型号 | 可订购部件编号 | 封装 | 包装方法 | 最小订购数量 | 温度范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVT4858UK | NVT4858UKZ | WLCSP16 | REEL7"Q1/T1[1] | 3000 | -40°C至 +85°C | |
| NVT4858HK | NVT4858HKZ | XQFN16 | REEL7"Q1/T1 SSB[2][3] | 4000 | -40°C至 +85°C |
| NVT4858的两种封装形式(WLCSP16和XQFN16)具有不同的引脚配置,具体引脚分配如下表所示: | 引脚 | WLCSP16符号 | WLCSP16引脚 | XQFN16引脚 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| A1 | DAT2A | A1 | 1 | I/O | 主机侧数据2输入或输出 | |
| A2 | VCCA | A2 | 15 | S | 主机侧电源电压 | |
| A3 | VCCB | A3 | 14 | S | 卡侧电源电压 | |
| A4 | DAT2B | A4 | 12 | I/O | 存储卡侧或SIM卡复位的数据2输入或输出 | |
| B1 | DAT3A | B1 | 2 | I/O | 主机侧数据3输入或输出 | |
| B2 | CMDA | B2 | 16 | I/O | 主机侧命令输入或输出 | |
| B3 | CMDB | B3 | 13 | I/O | 存储卡侧命令输入或输出 | |
| B4 | DAT3B | B4 | 11 | I/O | 存储卡侧或SIM卡IO的数据3输入或输出 | |
| C1 | DATOA | C1 | 3 | I/O | 主机侧数据0输入或输出 | |
| C2 | CLK FB | C2 | 6 | O | 主机侧时钟反馈输出 | |
| C3 | GND | C3 | 7 | S | 电源地 | |
| C4 | DATOB | C4 | 10 | I/O | 存储卡侧数据0输入或输出 | |
| D1 | DAT1A | D1 | 4 | I/O | 主机侧数据1输入或输出 | |
| D2 | CLKA | D2 | 5 | I | 主机侧时钟信号输入 | |
| D3 | CLKB | D3 | 8 | O | 存储卡或SIM卡侧时钟信号输出 | |
| D4 | DAT1B | D4 | 9 | I/O | 存储卡侧数据1输入或输出 |
每个引脚都有其特定的功能和作用,例如VCCA和VCCB分别为主机侧和卡侧提供电源电压,而各种数据和命令引脚则负责数据的传输和控制。在实际设计中,正确理解和使用这些引脚是确保设备正常工作的关键。
| 双向电平转换器能够在主机和存储卡的I/O电源电平之间进行数据转换,支持SD 3.0标准中规定的多种时钟和数据传输速率,确保数据的准确传输。 | 总线速度模式 | 信号电平(V) | 时钟速率 (MHz) | 数据速率 (MB/s) |
|---|---|---|---|---|
| Default - Speed | 3.0 | 25 | 12.5 | |
| High - Speed | 3.0 | 50 | 25 | |
| SDR12 | 1.8 | 25 | 12.5 | |
| SDR25 | 1.8 | 50 | 25 | |
| SDR50 | 1.8 | 100 | 50 | |
| SDR104 | 1.8 | 208 | 104 | |
| DDR50 | 1.8 | 50 | 50 |
该器件具有自动启用功能,当VCCB上升到VCCBen以上时,电平转换逻辑会自动启用;当VCCB下降到VCCBdisable以下时,卡侧驱动器和电平转换逻辑将被禁用。同时,所有主机侧引脚(不包括CLKA)会被配置为输入,并通过70 kΩ电阻上拉至VCCA。
为了补偿时钟在传输过程中的延迟,NVT4858提供了一个反馈路径。因为时钟总是由主机提供,而在对时间要求较高的读模式下数据来自卡,所以这个反馈路径能够提高数据读取的准确性,特别是在高速数据传输时。对于不需要使用CLK_FB信号的设计,可以将该节点浮空。
所有输入/输出驱动级都配备了EMI滤波器,以减少对敏感移动通信的干扰。同时,该器件在所有存储卡引脚以及VCCB引脚上都具有强大的ESD保护功能,其架构能够防止主机受到任何应力,将电压转换过程中的应力释放到电源地。
| NVT4858的各项电气参数都有其极限值,例如电源电压、输入电压、总功耗、存储温度、环境温度、静电放电电压等。在使用过程中,必须确保设备的工作条件不超过这些极限值,否则可能会导致设备损坏。具体极限值如下表所示: | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Vcc(VCCA引脚) | 电源电压 | 4 ms瞬态 | -0.5 | +2.4 | V | |
| Vcc(VCCB引脚) | 电源电压 | 4 ms瞬态 | -0.5 | +4.0 | V | |
| V1(VCCA供电的IVO引脚) | 输入电压 | 4 ms瞬态 | -0.5 | VCCA + 0.3 | V | |
| V1(VCCB供电的VO引脚) | 输入电压 | 4 ms瞬态 | -0.5 | VCCB + 0.3 | V | |
| Ptot | 总功耗 | Tamb = -40°C至 +85°C | 1000 | mW | ||
| Tstg | 存储温度 | -55 | +150 | °C | ||
| Tamb | 环境温度 | -40 | +85 | °C | ||
| VESD(接触放电) | 静电放电电压 | IEC 61000 - 4 - 2,4级,所有存储卡侧引脚和VCCB | -8 | +8 | kV | |
| VESD(空气放电) | 静电放电电压 | IEC 61000 - 4 - 2,4级,所有存储卡侧引脚和VCCB | -15 | +15 | kV | |
| Human Body Model (HBM) | 静电放电电压 | JEDEC JESD22 - A114F;所有引脚 | -2000 | +2000 | V | |
| Charge Device Model (CDM) | 静电放电电压 | JEDEC JESD22 - C101E;所有引脚 | -500 | +500 | V | |
| lu(10) | 输入/输出闩锁电流 | JESD 78B: -0.5xVcc < Vi < 1.5xVcc;Tj < 125°C | -100 | +100 | mA |
| 为了确保设备的性能和可靠性,建议在特定的工作条件下使用NVT4858。例如,VCCA的电源电压范围为1.08V至1.98V,VCCB的电源电压范围为1.62V至3.6V,同时还需要在特定引脚使用推荐的外部电容。具体推荐工作条件如下表所示: | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Vcc(VCCA引脚) | 电源电压 | 1.08 | 1.98 | V | |||
| Vcc(VCCB引脚) | 电源电压 | 1.62 | 3.6 | V | |||
| Vi(主机侧) | 输入电压 | -0.3 | VCCA + 0.3 | V | |||
| Vi(存储卡和SIM卡侧) | 输入电压 | -0.3 | VCCB + 0.3 | V | |||
| Cext(NVT4858HK的VCCA引脚) | 外部电容 | 推荐电容 | 100 | pF | |||
| Cext(NVT4858HK的VCCB引脚) | 外部电容 | 推荐电容 | 100 | pF | |||
| Cext(NVT4858UK的VCCA引脚) | 外部电容 | 推荐电容 | 220 | pF | |||
| Cext(NVT4858UK的VCCB引脚) | 外部电容 | 推荐电容 | 220 | pF |
NVT4858的静态特性包括自动启用特性、输入输出电压电平等参数;动态特性则包括电平转换的上升和下降时间、传播延迟等参数。这些特性对于评估设备的性能和稳定性非常重要,在设计过程中需要根据具体需求进行合理选择和优化。
文档中给出了NVT4858与典型SD或SIM卡的应用电路,通过这个电路可以清晰地看到各个组件之间的连接方式和信号流向。在实际设计中,可以参考这个电路进行合理布局和连接。
详细介绍了SD存储卡的引脚分配和功能,包括CD/DAT3(卡检测/数据线)、CMD(命令/响应)、VSS1和VSS2(电源地)、VDD(电源电压)、CLK(时钟)以及各数据引脚(DATO - DAT2)等。正确理解这些引脚的功能是确保SD卡正常工作的基础。
建议在VCCA和VCCB输入端子分别使用具有低等效串联电阻(ESR)的1 µF和100 nF(NVT4858HK)或220 nF(NVT4858UK)的电容。X5R和X7R类型的多层陶瓷电容(MLCC)是首选,因为它们在温度变化时电容值和ESR的变化最小,最大ESR应小于500 mΩ(典型值为50 mΩ)。
在PCB设计中,电容器应直接放置在端子和接地平面上。建议设计PCB时使VCCA和VCCB引脚通过电容旁路,每个接地返回至器件GND引脚的公共节点,以最小化接地环路,提高系统的稳定性和抗干扰能力。
NVT4858的I/O通道架构不需要额外的输入信号来控制数据从主机到SD/SIM卡或从SD/SIM卡到主机的流动方向。控制逻辑通过识别第一个下降沿来控制另一方信号,在上升沿信号时,非驱动输出由单稳态电路驱动以加速上升沿。在发生通信错误或其他意外情况导致两侧同时成为驱动源时,内部逻辑会自动防止卡住情况,使两个I/O在释放低电平驱动后返回高电平。CLK和CLK_FB通道仅包含单向驱动器,没有I/O通道的保持机制,因为它们仅从主机驱动到卡侧。
NVT4858有WLCSP16和XQFN16两种封装形式,文档中给出了它们的封装外形图和详细尺寸信息,包括各引脚的位置、间距以及整体的外形尺寸等。在进行PCB设计时,需要根据封装形式进行合理的布局和布线。
焊接是将NVT4858封装与PCB连接形成电气电路的重要步骤。常见的焊接方法包括波峰焊和回流焊。波峰焊适用于通孔组件和一些表面贴装器件,但对于焊球封装和一些引脚间距较小的封装不太适用;回流焊则更适合于小间距和高密度的封装。在焊接过程中,需要考虑电路板规格、封装尺寸、湿度敏感性、封装放置、检查和修复等因素,同时要注意无铅焊接和SnPb焊接的区别以及温度曲线的设置。 在焊接NVT4858时,除了上述提到的电路板规格、封装尺寸等因素外,还需要注意以下方面。从搜索到的信息来看,焊接过程普遍存在一些风险,如火灾、爆炸、中毒、窒息、触电、灼烫伤等。对于NVT4858的焊接,要严格按照焊接工艺要求进行操作,避免因操作不当引发安全问题。在使用波峰焊时,要注意控制波峰的高度、速度和温度,确保焊接质量。对于回流焊,要根据不同的封装形式和焊接材料,合理设置回流温度曲线,避免因温度过高或过低影响焊接效果。同时,要注意焊接环境的清洁和干燥,防止灰尘、湿气等影响焊接质量。此外,对于焊接后的检查和修复工作也至关重要,及时发现并处理焊接缺陷,确保设备的可靠性和稳定性。大家在实际焊接过程中有没有遇到过一些特别的问题呢?可以一起交流探讨。
综上所述,NVT4858是一款功能强大、性能优越的电压电平转换器,在SD和SIM卡应用中具有广泛的应用前景。通过深入了解其特性、功能和应用要求,电子工程师可以在设计中更好地利用这款器件,提高产品的性能和可靠性。
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