选型手册：VSB012N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSB012N03MS 是一款面向 30V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TDFN3x3.3 封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 3.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 3.8mΩ，低压场景下传导损耗极致低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 38A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 28A，承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：190A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• 极致低导通电阻：3.0~3.8mΩ 的阻性表现，大幅降低低压超大电流传输的损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 48mJ，抗冲击能力极强；
• 小封装高集成：TDFN3x3.3 封装体积小，适配高功率密度电路板设计；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	38	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 38；\(T=100^\circ\text{C}\): 28	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	190	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	48	mJ
最大功耗	\(P_D\)	40	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TDFN3x3.3 表面贴装封装，包装规格为 5000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 30V 级低压超大电流 DC/DC 转换器；
  • 储能系统、工业设备的超大电流负载开关；
  • 高功率电源管理系统的核心功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）