功率半导体的N和P掺杂浓度技术探讨

01

导率型号的符号上去的, 表示电导型号的符号上的, 用来表示掺杂水平。

- 和 P

 表示具有比临近区域更

掺杂水平的N和P层N+ 和 pr 表示具有比临近区域更

掺杂水平的N和P层

02

N- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3

P- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3

03

N 典型掺杂范围 1015~1018/cm3

P 典型掺杂范围 1015~1018/cm3

041

N+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3

P+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3

一个功率器件在其内部包含有一个弱掺杂N-区域

重掺杂N++和P++层接近金属化表面


审核编辑 黄宇