电子说
在电子设计领域,位置传感器的重要性不言而喻。TDK - Micronas 的 HAL/HAR 3900 系列 3D 位置传感器以其卓越的性能和丰富的功能,为众多应用场景提供了理想的解决方案。今天,就让我们深入了解一下这款传感器。
文件下载:TDK-Micronas HAR® 3900杂散场鲁棒3D位置传感器.pdf
HAL 3900 和 HAR 3900 属于 TDK - Micronas 新一代 3D 位置传感器。它们能够满足抗杂散磁场的 2D 位置传感(线性和角度)需求,并且符合 ISO 26262 标准的开发要求,是高精度位置测量的理想选择。其中,HAR 3900 是 HAL 3900 的全冗余版本(双芯片),通过在单个封装中堆叠两个独立芯片,实现了完全冗余。
由于其多功能编程特性和高精度,HAL/HAR 3900 在多个领域都有潜在的应用,例如:
HAL/HAR 3900 具有一系列令人瞩目的特性:
| HAL/HAR 3900 有不同的封装形式,具体如下: | 设备 | 封装代码 (PA) | 封装类型 |
|---|---|---|---|
| HAL3900 | DJ | SOIC - 8 | |
| HAR 3900 | GU | SSOP - 16 |
对于配置 (C)、包装 (P)、数量 (Q) 和特殊程序 (SP) 的可用变体,请联系 TDK - Micronas。
基于霍尔效应技术,传感器包含水平和垂直霍尔板阵列。霍尔板信号经过 A/D 转换、滤波和温度补偿后,可进行线性化处理,以减少系统角度非线性误差。此外,还具备片上偏移补偿和杂散磁场补偿功能。
传感器的 DSP 部分负责信号调理,相关参数存储在非易失性存储器中。信号路径包含只读寄存器和可编程寄存器,分别存储测量数据和改变信号处理方式。
采用 4 线 SPI 接口进行内存编程和寄存器读取,支持全双工通信。每个传输都有状态字节和 CRC 校验,确保数据传输的准确性。
提供五种低功耗模式,可根据不同的使用场景进行配置,以降低功耗。
提供功能安全手册和分析报告,帮助客户实现安全合规的应用。
在启动和正常运行期间进行自检,通过 DIAGNOSIS_X 寄存器报告内部诊断结果,提高设备的可靠性。
详细介绍了 SOIC8 和 SSOP16 封装的外形尺寸。
相关信息可在“Guidelines for the Assembly of Micronas Packages”文档中获取。
霍尔板阵列的直径为 2.25 mm。
分别列出了 SOIC8 和 SSOP16 封装的引脚连接和功能描述。
明确了传感器的工作电压、温度范围等参数,确保在安全范围内使用。
包括电源电流、启动时间、采样频率等电气特性,以及旋转和线性运动的磁特性。
介绍了温度传感器的增益、偏移等参数。
考虑内部功耗对芯片温度的影响,通过热阻计算结温和环境温度的差异。
如需详细信息,请联系 TDK - Micronas。
提供了 HAL 3900 和 HAR 3900 的应用电路示例,以及 SOIC8 和 SSOP16 封装的推荐焊盘尺寸。
传感器有应用模式和编程模式,可通过特定操作进行切换。
通过 SPI 接口进行编程,可使用 TDK - Micronas 工具套件或标准微控制器。
在生产和测试时,需设置 LOCK 位,并检查编程结果。同时,要注意静电放电对编程的影响。
综上所述,HAL/HAR 3900 3D 位置传感器凭借其出色的性能、丰富的功能和可靠的安全性,为电子工程师在设计中提供了强大的支持。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择和配置传感器,以充分发挥其优势。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !