不同维度下半导体集成电路的分类体系

文章来源：学习那些事

原文作者：小陈婆婆

本文介绍了不同维度下半导体集成电路的分类体系。  

半导体集成电路的分类体系基于集成度、功能特性、器件结构及应用场景等多维度构建，历经数十年发展已形成多层次、多维度的分类框架，并随技术演进持续扩展新的细分领域。

按半导体集成电路规模分类

从集成度视角看，集成电路按规模可分为小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、特大规模（ULSI）及当前迈入的巨大规模（GSI）阶段。

具体而言，数字集成电路以等效门数或元器件数量为标尺，小规模集成1-10等效门/片或10-100个元器件，中规模达10-100等效门/片或100-1000个元器件，大规模覆盖100-10000等效门/片或1000-100000个元器件，超大规模则突破10000等效门/片或100000个元器件；模拟集成电路因工艺复杂度更高，通常以100个元器件为界划分小、中、大规模，集成度超过500个元器件即归为大规模。这种分类不仅反映了技术进步的量化指标，更体现了从分立器件到系统级芯片（SoC）的集成能力跃升。

按电路功能分类

功能维度上，集成电路分为数字、模拟及数模混合三大类。数字集成电路专注于二进制逻辑运算与数字信号处理，典型产品包括门电路、触发器、存储器及微处理器，其优势在于高输入阻抗、低功耗及易于大规模集成，但工作速度相对受限；模拟集成电路处理连续变化的模拟信号，涵盖运算放大器、稳压电源、模数/数模转换器（ADC/DAC）等，以优异的频率特性见长，却面临功耗较高及非线性处理的挑战；数模混合集成电路则融合数字与模拟电路于单一芯片，如混合信号处理器、电源管理芯片等，在物联网、5G通信等场景中需求激增，成为系统集成的重要方向。

按有源器件的类型分类

器件结构层面，双极型、MOS及BiCMOS集成电路构成三大主流。双极型集成电路作为最早问世的类型，以双极晶体管为核心有源器件，依赖电子与空穴两种载流子导电，具有高速度、强驱动能力的特点，但功耗较高且集成度受限，典型代表包括TTL、ECL逻辑电路；MOS集成电路采用金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），通过电场控制沟道导电，仅需单一载流子（电子或空穴）工作，分为NMOS、PMOS及CMOS（互补MOS）三类，其中CMOS因低功耗特性成为数字电路的主流；BiCMOS则整合双极与MOS器件优势，兼具高速与低功耗特性，但工艺复杂度与成本较高，多用于高性能混合信号芯片。

按应用性质分类

应用性质方面，集成电路分为通用与专用（ASIC）两类。通用集成电路如标准逻辑器件、通用存储器及微处理器，面向广泛市场；专用集成电路（ASIC）则针对特定功能定制，如AI加速芯片、加密货币挖矿芯片等，凭借高功能集成度、强保密性及快速迭代能力，在边缘计算、自动驾驶等领域占据重要地位。近年来，可编程逻辑器件（如FPGA）通过硬件重构能力，在原型验证、小批量生产中展现出灵活性优势，成为ASIC的重要补充。

技术演进方面，先进封装技术如2.5D/3D集成、Chiplet架构正突破传统单芯片集成度极限，通过异构集成实现性能与成本的平衡；新型器件如FinFET、GAA晶体管持续推动摩尔定律延伸，而碳纳米管、二维材料等新兴半导体材料则为后摩尔时代提供潜在路径。

这些进展不仅延续了传统分类框架的适用性，更在精度控制、能效比及智能化方面开辟新维度，推动半导体集成电路向更高集成度、更低功耗及更智能化的方向持续演进。