HBM3E反常涨价20%,AI算力竞赛重塑存储芯片市场格局 供需失衡:HBM3E涨价背后的市场逻辑
从当前最新消息来看,2026年本该是HBM4的“主场”。报道显示,本月10日,SK海力士已与英伟达(NVIDIA)就HBM4芯片的供货量完成协商,并已投入量产。三星方面,其存储业务执行副总裁金在俊(Kim Jae-joon)此前表示,三星的HBM4开发工作正按计划推进,将于2025年下半年实现量产,并预计2026年启动商业供应。此外,公司正与多家客户合作开发基于HBM4及增强型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固态技术协会于2025年4月16日通过JESD270-4规范确立的第四代高带宽内存标准,主要面向人工智能、高性能计算及高端显卡领域。该标准采用2048位接口,传输速率达8Gb/s,总带宽2TB/s,支持4/8/12/16层DRAM堆栈,单堆栈最大容量64GB,通道数量增至32个,并引入0.7V-0.9V VDDQ电压与1.0V-1.05V VDDC电压选项。HBM4将实现架构层面的革新:新标准引入的逻辑层集成设计,允许在内存堆叠中嵌入可编程计算单元,使内存具备基础算力功能。这一变革将推动“内存中心计算”架构落地,在AI推理场景中可减少30%的数据搬运量,显著降低系统能耗。 KB Securities数据显示,以ASIC厂商为主要客户的三星,2026年HBM总出货量有望较2025年暴增3倍,预计将达到111亿Gb。需求端呈现多点开花态势:英伟达H200芯片每颗需搭载6颗HBM3E;谷歌第七代TPU每颗搭载8颗HBM3E;亚马逊Trainium则搭载4颗HBM3E。 具体来看谷歌第七代TPU,该产品配备192GB HBM3E显存,带宽达7.37 TB/s,采用3D堆叠封装技术集成双计算核心与内存模块。出货计划方面,谷歌第七代TPU已于2025年发布并启动商用,其AI推理性能显著提升,单颗算力达4614 TFLOPS(FP8精度)。不出意外,2026年搭载该TPU的算力服务器将大规模出货,进一步带动HBM3E用量增长。 然而,供应端正面临产能调整的阵痛。三星与SK海力士正全力推进HBM4产能建设,预计2026年HBM4将占HBM市场营收的55%,而HBM3E占比将降至45%。KB Securities分析师指出:“从2026年第三季度开始,HBM4将快速承接HBM3E的需求,但在此之前,HBM3E的供应将持续紧张。”在此背景下,两大厂商难以大幅提升HBM3E产能,导致供应无法匹配激增的需求,最终催生了近20%的涨价溢价。结语
HBM3E的逆势涨价,既是AI算力需求爆发与供应链结构性失衡共同作用的必然结果,更是存储行业从消费电子配套向AI战略核心转型的鲜明注脚。当前,全球存储行业的“超级周期”已全面开启,供需逻辑重构与产能结构升级正重塑市场格局:头部厂商凭借技术与产能优势巩固定价权,产业链上下游则在成本压力与需求红利中寻求平衡。对于国产存储企业而言,海外巨头向高端产能倾斜带来的中低端市场缺口,无疑是实现突围的关键窗口期。全部0条评论
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