RAA211403 和 RAA211405:高效低功耗降压调节器的应用与设计指南

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描述

RAA211403 和 RAA211405:高效低功耗降压调节器的应用与设计指南

在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响到整个系统的稳定性和效率。RAA211403 和 RAA211405 作为瑞萨电子推出的 40V、300mA、超低静态电流($I_{Q}$)的 DC/DC 降压调节器,凭借其出色的性能和丰富的保护功能,在众多应用场景中展现出了强大的竞争力。

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产品概述

RAA211403 和 RAA211405 是超小型、易于使用的降压调节器,输入电压范围为 7V 至 40V,最大输出电流可达 300mA。其中,RAA211403 的固定输出电压为 3.3V,而 RAA211405 的输出电压为 5V。这两款芯片采用 TSOT23 - 5 封装,具有超低的静态电流,在 40V 输入、无负载开关条件下,$I{Q}$ 仅为 4µA;在 40V 输入、无负载且无开关条件下,$I{Q}$ 为 2.5µA。此外,它们还提供了全面的保护功能,包括 $V{IN}$ 欠压锁定(UVLO)、$V{OUT}$ 过压保护(OVP)、过流保护和过温保护等。

典型应用电路

RAA211403 典型应用电路

降压调节器 其典型 BOM 如下: Reference Designator Description Manufacturer Manufacturer Part Number
L COIL - PWR Inductor, SMD, 3mm, 15pH, 20%, 1.71A, 720mΩ DCR, WW, ROHS Wurth 74438335150
$C_{IN}$ Multilayer Cap, SMD, 0805, 4.7uF, 10%, 50V Samsung CL21A475KBQNNNE
R Thick Film Chip Resistor, SMD, 0603, 1M, 1%, 1/10W Generic Various
D 1A 60V Low Vf Schottky Barrier Rectifier, SOD323F Panjit MBR1060HEWS_R1_00001
$C_{OUT}$ Multilayer Cap, SMD, 0603, 22uF, 20%, 6.3V Generic Various

RAA211405 典型应用电路

降压调节器 其典型 BOM 如下: Reference Designator Description Manufacturer Manufacturer Part Number
L COIL - PWR Inductor, SMD, 3mm, 10pH, 20%, 2A 446mΩ DCR, WW, ROHS Wurth 74438335100
$C_{IN}$ Multilayer Cap, SMD, 0805, 4.7pF, 10%, 50V Samsung CL21A475KBQNNNE
R Thick Film Chip Resistor, SMD, 0603, 1M, 1%, 1/10W Generic Various
D 1A 60V Low Vf Schottky Barrier Rectifier, SOD323F Panjit MBR1060HEWS_R1_00001
$C_{OUT}$ Mutilayer Cap, SMD, 0603, 22pF, 20%, 6.3V Generic Various

引脚信息

引脚分配

降压调节器

引脚描述

Pin Number Pin Name Description
1 $V_{OUT}$ 连接到调节器的输出电压,启动并进入稳压状态后,该引脚也是 IC 的偏置电源。
2 GND 接地引脚。
3 EN 使能引脚,具有高电压耐受性,可直接连接到 $V_{IN}$ 或逻辑电压以实现启用和禁用,请勿悬空。
4 $V_{IN}$ IC 的电压输入,连接到集成 MOSFET 的源极和合适的电压源。
5 SW 开关节点引脚,是调节器的相位节点,连接到集成 MOSFET 的漏极,需连接到电感和二极管。

规格参数

绝对最大额定值

使用时需注意,不要长时间在接近或达到最大额定值的条件下运行,否则可能会影响产品的可靠性并导致故障。 Parameter Minimum Maximum Unit
$V_{IN}$ -0.3 42 V
EN -0.3 $V_{IN}$ + 0.3 V
SW -0.3 $V_{IN}$ + 0.3 V
$V_{OUT}$ -0.3 7 V
SW, 20ns Transient -6 $V_{IN}$ + 0.3 V
Operating Junction Temperature -40 150
Maximum Storage Temperature Range -65 150
Human Body Model (Tested per JS - 001 - 2017) 2 kV
Charged Device Model (Tested per JS - 002 - 2018) 1 kV
Latch - Up (Tested per JESD78E; Class 2, Level A) 100 mA

推荐工作条件

Parameter Minimum Maximum Unit
Input Voltage, $V_{IN}$ 7 40 V
Output Current, $I_{OUT}$ 0 0.3 A
Junction Temperature, $T_{j}$ -40 +125

热规格

Parameter Package Symbol Conditions Typical Value Unit
Thermal Resistance TSOT23 - 5 $theta_{JA}$ Junction to ambient 90 °C/W
$theta_{JA2}$ Junction to ambient 156
$theta_{JC}$ Junction to case 48

电气规格

Parameter Symbol Test Conditions Min[1] Typ Max[1] Unit
Supply Voltage
$V_{IN}$ Voltage Range $V_{IN}$ 7 40 V
$V_{IN}$ Quiescent Current $I_{Q}$ EN = $V{IN}$ = 40V, $V{OUT}$ = 3.3V or 5V, no load operation, switching 4 µA
EN = $V{IN}$ = 40V, $V{OUT}$ > 3.3V or 5V, no load, no switching 2.5 µA
Shutdown Current $I_{SH}$ EN = 0V, $V_{IN}$ = 24, no switching 0.1 1 µA
$V_{IN}$ Undervoltage Lockout $V_{IN}$ rising 6.0 6.5 7 V
$V_{IN}$ Undervoltage Hysteresis 550 mV
Output Voltage
$V_{OUT}$ Valley Comparator Threshold $V_{OUT}$ RAA211403, $V_{IN}$ = 12V, no load 3.2 3.3 3.4 V
RAA211405, $V_{IN}$ = 12V, no load 4.8 4.95 5.1 V
Overvoltage Protection OVP RAA211403 3.63 V
RAA211405 5.5 V
Enable Voltage
EN High Level Input Voltage $V_{ENH}$ 1.13 1.23 1.33 V
EN Hysteresis 75 mV
EN Leakage Current EN = $V_{IN}$ = 40V 0 µA
Timer Control
Minimum On - Time $t_{ON MIN}$ $V_{IN}$ = 12V 75 ns
Internal Integrated MOSFETs
On - Resistance $R_{DS(ON)_H}$ $V_{IN}$ = 12V 1.0 Ω
Current Limit and Protection
Current Limit $I_{LIM}$ $V_{IN}$ = 12V 0.750 A
Current Limit Prop Delay 50 ns
Thermal Shutdown $T_{SD}$ 160
Thermal Hysteresis $Delta T_{SD}$ 20

功能描述

工作原理

当输入电压和使能电压达到阈值时,调节器开始切换。它们使用固定电流参考来关闭 MOSFET,并使用输出电压谷值阈值来重新开启 MOSFET。输出电压通过内部反馈电阻在 $V{OUT}$ 引脚处被感测,并与 1.2V 的内部参考电压进行比较,以产生控制信号,决定何时开启 MOSFET。当电感电流达到零且输出电压降至固定的 $V{OUT}$ 阈值以下时,MOSFET 开启;当电感电流达到 750mA(典型值)的固定 $I{LIM}$ 电流阈值时,MOSFET 关闭。因此,调节器始终在不连续电流模式下运行,并且需要 $V{OUT}$ 纹波来使控制方案正常工作。

开关频率

开关频率可以通过改变电感值来编程,其工作频率取决于电感、输入电压和负载电流。由于特定输入电压下的峰值电流是固定的,开关频率与负载相关。每个开关周期内的电荷(或电流)是固定的,因此负载电流的增加会导致开关频率的增加。在输入 40V 时,无负载开关静态电流($I_{Q}$)为 4µA。

峰值电流和传播延迟

调节器将电感峰值电流控制在 750mA(典型值),但由于电流传感器的传播延迟,峰值电流往往会高于 750mA,传播延迟通常为 50ns。可以使用以下公式近似计算实际峰值电流: $I{peak} = 0.750 + 50 × 10^{-9} × frac{(V{IN} - V_{OUT})}{L}$ 此外,调节器具有最小 MOSFET 导通时间,如果选择的电感值过小,可能会导致电流高于公式预测值。瑞萨建议最小电感值为 4.7µH 或更高。

软启动

RAA211403 和 RAA211405 具有自然的电流限制功能,在上电时会自动提供平滑上升的 $V{OUT}$ 电压。软启动时间大约由以下公式定义: $Soft - Start Time = V{OUT} × [frac{C{OUT}}{(frac{I{peak}}{2}) - I_{LOAD}}]$ 根据评估板的测试数据,不同电感值下的近似软启动时间如下:

RAA211403

Inductor (H) Soft - Start Time (No Load) (µs) Soft - Start Time (Full Load) (µs)
15 135 235
10 130 210
6.8 125 200
4.7 110 170

RAA211405

Inductor (H) Soft - Start Time (No Load) (µs) Soft - Start Time (Full Load) (µs)
15 210 370
10 190 360
6.8 180 285
4.7 175 265

欠压锁定

$V{IN}$ 引脚上的欠压锁定(UVLO)功能可防止调节器在输入电压超过 6.5V(典型值)之前启动。UVLO 阈值具有约 550mV 的迟滞,因此当 $V{IN}$ 下降到 6V(典型值)以下时,设备才会停止工作。迟滞功能可防止在 $V{IN}$ 非单调上升时器件在启动过程中关闭。建议尽量缩短从 $V{IN}$ 电源或上游输入电源到 IC 的电流路径长度,以防止在 $V_{IN}$ 开关过程中出现抖动。

使能控制

使能引脚(EN)拉高时,器件开启;拉低时,IC 关闭。EN 上升阈值电压为 1.2V(典型值),EN 迟滞为 75mV(典型值)。EN 引脚可以直接连接到 $V{IN}$ 以实现始终开启的操作,也可以通过电阻分压器连接 $V{IN}$ 来编程 $V_{IN}$ UVLO 阈值。

编程公式

  • 计算电阻分压器比值:$frac{R{EN1}}{R{EN2}} = (frac{V_{INR} - 1.2}{1.2})$
  • 计算器件关闭时的输入电压:$V{INF} = 1.125 × frac{R{EN1} + R{EN2}}{R{EN2}}$

过流保护(OCP)

RAA211403 和 RAA211405 具有内置的峰值电流保护功能,持续监测 MOSFET 电流,当峰值电流达到 750mA(典型

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