探索TI SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP:LVDS技术在Memory Stick接口扩展中的应用

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探索TI SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP:LVDS技术在Memory Stick接口扩展中的应用

在当今电子设备不断发展的时代,数据传输的距离和速度成为了设计中的关键挑战。对于Memory Stick接口而言,传统的单端信号传输方式在长距离传输时存在一定的局限性。而德州仪器(TI)的SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP芯片组,凭借其LVDS(低电压差分信号)技术,为Memory Stick接口的扩展提供了有效的解决方案。

文件下载:sn65lvdt41-ep.pdf

芯片组概述

SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP是专门为基于LVDS的Memory Stick接口扩展而设计的芯片组。其中,SN65LVDT14将一个LVDS线驱动器和四个终端LVDS线接收器集成在一个封装中,适用于Memory Stick端;而SN65LVDT41则将四个LVDS线驱动器和一个终端LVDS线接收器集成在一起,用于主机端。

特性亮点

  • 受控基线与DMS支持:具备受控基线,单一组装/测试地点和单一制造地点,同时提供增强的DMS(减少制造源)支持,确保产品的稳定性和可维护性。
  • 接口扩展能力:支持Memory Stick接口扩展,允许主机和Memory Stick之间实现长距离互连。同时,还能实现SPI(串行外围接口)和MMC(多媒体卡)在SPI模式下的接口扩展。
  • 集成电阻与单电源供电:集成了110Ω标称接收器线路终端电阻,简化了设计。并且可以由单一的3.3V电源供电,降低了电源设计的复杂度。
  • 高数据速率与兼容性:数据速率大于125Mbps,采用直通式引脚布局。逻辑I/O与LVTTL兼容,总线引脚的ESD保护超过12kV,符合ANSI/TIA/EIA - 644A LVDS标准。

电气特性分析

绝对最大额定值

在设计过程中,了解芯片的绝对最大额定值至关重要,它能帮助我们避免因超出极限条件而对芯片造成永久性损坏。SN65LVDT14和SN65LVDT41的绝对最大额定值如下: 参数 最小值 最大值 单位
电源电压范围 - 0.5 4 V
输入电压范围 - 0.5(不同引脚略有不同) 6(不同引脚略有不同) V
静电放电(人体模型) ±12(部分引脚) ±8(所有引脚) KV
静电放电(充电设备模型) ±500 V
连续总功耗 见功耗评级表
储存温度范围 - 65 150
引脚温度(距外壳1.6mm,10s) 260

推荐工作条件

为了确保芯片的正常工作和性能,需要在推荐工作条件下使用。虽然文档中推荐工作条件部分表格信息不太清晰,但我们知道电源电压等参数需要在合适的范围内。

接收器和驱动器电气特性

接收器和驱动器的电气特性是影响数据传输质量的关键因素。以下是一些重要的参数:

  • 接收器:正、负向差分输入电压阈值分别为±100mV,高、低电平输出电压分别为2.4V和0.4V,输入电流和电源关闭时的输入电流最大值为±40μA等。
  • 驱动器:差分输出电压幅度典型值为340mV,稳态共模输出电压在1.125 - 1.375V之间等。

开关特性

开关特性决定了信号的传输延迟和上升、下降时间等,对于高速数据传输非常重要。

  • 接收器:传播延迟时间(低到高和高到低)典型值为2.6ns,输出信号上升和下降时间最大值为1.4ns等。
  • 驱动器:传播延迟时间(低到高和高到低)典型值分别为1.7ns和1.6ns,差分输出信号上升和下降时间最大值为1.2ns等。

功能与应用

功能表

通过功能表可以清晰地了解接收器和驱动器的输入输出关系。

  • 接收器:当差分输入电压VID ≥ 100mV时,输出为高电平;当 - 100mV < VID < 100mV时,输出不确定;当VID ≤ - 100mV时,输出为低电平;输入开路时,输出为高电平。
  • 驱动器:输入为高电平时,输出Y为高电平,Z为低电平;输入为低电平时,输出Y为低电平,Z为高电平;输入开路时,输出Y为低电平,Z为高电平。

典型应用:Memory Stick接口扩展

Memory Stick接口采用主从架构,有三个有效信号线:时钟(SCLK)、总线状态(BS)和串行数据输入/输出(SDIO)。传统的单端信号传输方式限制了传输距离,而LVDS技术则能很好地解决这个问题。

  • 信号传输方式:SCLK和BS信号采用单工链路,SDIO数据分为两个单工流,通过主机处理器的方向(DIR)信号进行控制。DIR信号也通过单工LVDS链路从主机传输到Memory Stick。
  • 信号方向切换:在单端接口中,SDIO信号流方向的切换由电子开关设备管理,如TI的SN74CBTLV1G125,该设备采用节省空间的SOT - 23或SC - 70封装。

机械与封装信息

封装尺寸

两款芯片均采用20引脚的TSSOP(PW)封装,封装尺寸与引脚数量有关,不同引脚数的最大高度A在2.90 - 9.80mm之间。

包装信息

提供了可订购的零件编号、状态、材料类型、包装数量、载体、RoHS合规性、引脚镀层/球材料、MSL评级/峰值回流温度、工作温度和零件标记等详细信息,方便工程师进行采购和使用。

总结与思考

TI的SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP芯片组为Memory Stick接口的长距离扩展提供了一种可靠且高效的解决方案。其LVDS技术的应用带来了低辐射、高抗噪、低功耗和低成本互连电缆等优势。在实际设计过程中,工程师需要根据具体的应用需求,综合考虑芯片的电气特性、机械封装等因素。例如,在高速数据传输应用中,需要重点关注开关特性,确保信号的准确传输。同时,对于芯片的绝对最大额定值和推荐工作条件,必须严格遵守,以保证芯片的可靠性和稳定性。大家在使用这两款芯片时,有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的设计思路呢?欢迎在评论区分享交流。

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