探索SN65LVDS18/19和SN65LVP18/19：高性能振荡器增益级/缓冲器的奥秘

在电子设计领域，高性能的振荡器增益级和缓冲器是实现高速信号处理和传输的关键组件。今天，我们就来深入探讨德州仪器（TI）的SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19这四款器件，看看它们在高频应用中能为我们带来哪些优势。

文件下载：sn65lvds19.pdf

器件概述

这四款器件是高频振荡器增益级，适用于3.3 - V或2.5 - V系统，能够在高增益输出端支持LVPECL或LVDS信号。其中，SN65LVx18提供单端输入（PECL电平），而SN65LVx19则支持全差分输入。它们具有以下显著特点：

• 小封装：采用2 - mm x 2 - mm的小外形无引脚封装（WSON），节省电路板空间。
• 高速性能：时钟速率可达1 GHz，输出转换时间低至250 ps，典型固有相位抖动仅0.12 ps，传播延迟时间小于630 ps。
• 低电压操作：支持2.5 - V或3.3 - V电源供电，满足不同系统的电压需求。

应用场景

这些器件在多个领域都有广泛的应用，例如：

• PECL - 到 - LVDS转换：在不同电平标准之间进行信号转换，确保信号的兼容性和稳定性。
• 时钟信号放大：增强时钟信号的强度，提高信号质量，减少信号失真。

功能特性详解

增益控制与输出特性

SN65LVx18提供增益控制（GC）功能，用户可以通过将其开路（NC）、接地或连接到$V_{CC}$来控制$bar{Q}$输出电压在300 mV至860 mV之间变化（开路时默认值为575 mV）。SN65LVx19的Q输出默认值同样为575 mV。

参考电压

两款器件都提供一个典型值为$V{CC}$以下1.35 V的参考电压（$V{BB}$），用于接收单端PECL输入信号。当不使用时，$V_{BB}$应保持未连接或开路状态。

内置ESD保护

虽然这些器件内置了有限的ESD保护，但在存储或处理过程中，为防止MOS栅极受到静电损坏，建议将引脚短接在一起或使用导电泡沫包装。

可选配置

根据输入、输出和增益控制的不同组合，这些器件有以下可选配置：	输入	输出	增益控制	基本部件编号	部件标记
单端	LVDS	是	SN65LVDS18	ER
单端	LVPECL	是	SN65LVP18	EP
差分	LVDS	否	SN65LVDS19	ET
差分	LVPECL	否	SN65LVP19	ES

电气特性与性能参数

绝对最大额定值

在使用这些器件时，需要注意其绝对最大额定值，超过这些值可能会导致器件永久性损坏。例如，电源电压、输入电压、输出电流等都有相应的限制。

推荐工作条件

为了确保器件的正常工作和最佳性能，建议在推荐的工作条件下使用。包括电源电压范围（2.375 - 3.6 V）、输入电压范围、输出电流限制等。

电气特性参数

在推荐工作条件下，这些器件的电气特性参数表现出色。例如，电源电流、参考电压、输入电流、输出电压等都有明确的规格要求。

开关特性参数

开关特性参数对于高速信号处理至关重要。这些器件的传播延迟时间、脉冲偏斜、上升/下降时间、抖动等参数都经过精心设计，以满足高速应用的需求。

封装与引脚信息

这些器件采用WSON（DRF）封装，引脚分配如下：	SN65LVDS18, SN65LVP18		SN65LVDS19, SN65LVP19
引脚	信号	引脚	信号
1	Q	1	Q
2	A	2	A
3	VBB	3	B
4	GC	4	VBB
5	EN	5	EN
6	Z	6	Z
7	Y	7	Y
8	Vcc	8	Vcc
9	GND	9	GND

热性能与机械数据

热信息

这些器件的封装采用了暴露的热焊盘设计，可直接连接到外部散热器或印刷电路板（PCB）上，以提高散热性能。通过热过孔，热焊盘还可以连接到适当的铜平面，进一步优化集成电路（IC）的散热效果。

机械数据

包括封装的尺寸、公差、引脚配置等详细信息，为电路板设计提供了准确的参考。

总结与建议

SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19这四款器件以其高性能、小封装和低电压操作等特点，为电子工程师在高频信号处理和传输领域提供了优秀的解决方案。在设计过程中，我们需要根据具体的应用需求选择合适的器件配置，并严格遵循推荐的工作条件和设计指南，以确保器件的可靠性和性能。同时，注意ESD保护和热管理，避免因静电和过热对器件造成损坏。

你在使用这些器件的过程中遇到过哪些问题？或者你对它们的应用有什么独特的见解？欢迎在评论区分享你的经验和想法！