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在电子设备飞速发展的今天,NFC/RFID技术凭借其便捷性和高效性,在众多领域得到了广泛应用。M24LR04E-R作为一款动态NFC/RFID标签IC,具备诸多出色特性,为电子工程师们带来了新的设计思路和解决方案。下面我们就来深入探讨这款芯片的各项特性和应用。
文件下载:M24LR04E-RMN6T 2.pdf
M24LR04E-R是一款具有双接口的动态NFC/RFID标签IC,内置4-Kbit EEPROM,支持能量收集功能,拥有I²C总线和ISO 15693 RF接口。它属于ST25系列,该系列涵盖了意法半导体(ST)的所有NFC/RFID标签和读取器产品。
在I²C模式下,M24LR04E-R被组织为512 × 8位;而在RF模式下,则为128 × 32位。这种灵活的数据组织方式,能够满足不同应用场景下的数据存储和处理需求。
在I²C通信方面,它采用两线串行接口,由串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)组成。在ISO15693/ISO18000 - 3模式1的RF模式下,通过13.56 MHz ± 7 kHz的载波电磁波进行通信,接收的ASK波采用10%或100%调制,数据速率分别为1.6 Kbit/s(1/256脉冲编码模式)或26 Kbit/s(1/4脉冲编码模式)。同时,该芯片在连接天线时,可从RF能量中获取工作电源,无需外部电源供应。
M24LR04E-R具备能量收集功能,其模拟输出引脚Vout可在能量收集模式启用且RF场强足够时,输出多余能量。此外,还有一个用户可配置的数字输出引脚RF WIP/BUSY,用于指示芯片的工作状态,如RF写操作进行中或RF命令执行中。
SCL用于同步数据传输,在某些需要从设备同步总线时钟的应用中,总线主设备需采用开漏输出,并连接上拉电阻。SDA是双向数据传输线,为开漏输出,需连接上拉电阻,可与总线上的其他开漏或开集电极信号进行线或操作。
该引脚可配置,用于指示芯片正在执行RF内部写周期或RF命令正在执行。此引脚为开漏输出,需连接上拉电阻,且仅在芯片由Vcc引脚供电时可用。
当能量收集模式启用且RF场强足够时,Vout引脚输出模拟电压;当模式禁用或场强不足时,该引脚处于高阻态。
这两个输入引脚用于连接外部线圈,应避免连接其他直流或交流路径。正确调谐后,可使用ISO 15693和ISO 18000 - 3模式1协议为芯片供电和进行访问。在RF模式下,为确保RF电路正确复位,RF场必须关闭(100%调制)至少tRF_OFF时间。
Vss为接地引脚,是Vcc供电电压和Vout模拟输出电压的参考。Vcc引脚可连接外部直流电源,内部电压调节器可防止内部电源(整流后的RF波形)在Vcc引脚输出直流电压。
M24LR04E-R的用户内存分为四个扇区,每个扇区包含32个32位的块。每个扇区可通过特定的锁定或密码命令进行单独的读写保护。此外,芯片还有一个64位的块用于存储唯一标识符(UID),该UID符合ISO 15963标准,在防冲突序列(Inventory)中发挥重要作用,且用户在RF设备操作中无法访问该块,其值由ST在生产线上写入。
芯片还包含AFI寄存器和DSFID寄存器,分别存储应用家族标识符和数据存储家族标识符,用于防冲突算法。同时,有四个32位的块存储I²C密码和三个RF密码代码。
在RF模式下,每个内存扇区可通过三个可用密码之一进行单独保护,并可设置读写访问条件。扇区安全状态字节包含扇区锁定位、密码控制位和读写保护位,用于定义扇区的访问权限。相关的保护命令包括Write - sector password、Lock - sector和Present - sector password等。
在I²C模式下,可通过I2C_Write_Lock位保护单个扇区的写操作。读访问I2C_Write_Lock位区域始终允许,写访问则取决于正确呈现I²C密码。
芯片提供一个8位的非易失性配置字节和一个8位的易失性控制寄存器。配置字节用于存储RF WIP/BUSY引脚和能量收集配置信息,控制寄存器用于存储能量收集使能位和FIELD_ON位指示器。
M24LR04E-R支持I2C协议,作为从设备参与通信。数据传输由总线主设备发起,以起始条件(Start)开始,结束于停止条件(Stop)。在数据传输过程中,通过应答位(ACK)确认数据接收。
读写操作包括字节写、页写、随机地址读、当前地址读和顺序读等模式。在写操作中,需注意I2C_Write_Lock位的设置,若该位为1且未正确呈现I2C密码,写操作将被禁止。同时,为减少系统延迟,可通过轮询应答位(Ack)来判断内部写周期是否完成。
RF模式下的内存结构与用户内存组织类似,每个扇区可单独保护。读写操作需确保寻址块未受保护,写操作时将替换整个32位块的值。
通信基于13.56 MHz的载波电磁波,采用ASK调制。能量收集功能在通信过程中可能会受到影响,因此在设计时需考虑两者的兼容性。
芯片支持多种RF命令,如Inventory(防冲突序列)、Stay Quiet(进入安静状态)、Read Single Block(读取单个块)、Write Single Block(写入单个块)等,以满足不同的应用需求。
M24LR04E-R支持两种数据编码模式:1 out of 256和1 out of 4。在1 out of 256模式下,一个字节的传输时间为4.833 ms,数据速率为1.65 Kbit/s;在1 out of 4模式下,一个字节的传输时间为302.08 µs,数据速率为26.48 Kbit/s。数据编码模式由VCD(RF读取器)选择,并在帧起始(SOF)中指示。
通信采用ASK调制,有10%和100%两种调制指数。M24LR04E-R可解码这两种调制信号,VCD决定使用哪种调制指数。
芯片通过负载调制与VCD通信,支持单载波和双载波响应格式。数据速率可分为低数据速率和高数据速率,由VCD在协议头的第一位选择。
通信帧由起始帧(SOF)和结束帧(EOF)界定,采用代码违规实现。不同的数据速率和载波模式下,SOF和EOF的格式有所不同。
M24LR04E-R由一个64位的唯一标识符(UID)唯一标识,该UID符合ISO/IEC 15963和ISO/IEC 7816 - 6标准,在防冲突循环和一对一通信中用于唯一寻址芯片。
AFI用于标识目标应用类型,可从所有芯片中筛选出满足特定应用标准的芯片。其值由芯片发行者(或购买者)编程,锁定后不可修改。
DSFID指示芯片内存中数据的结构,可通过Write DSFID和Lock DSFID命令进行编程和锁定。
通信协议基于“VCD talks first”的概念,即芯片在未接收到并正确解码VCD发送的指令前,不会开始传输数据。协议通过请求和响应帧进行数据交换,每个帧包含SOF、标志、命令代码、参数、数据、CRC和EOF。
芯片可处于四种状态:Power - off(断电状态)、Ready(就绪状态)、Quiet(安静状态)和Selected(选中状态)。状态之间的转换由特定的命令和条件触发,如Inventory命令可使芯片从Ready状态进入防冲突序列。
M24LR04E-R支持多种命令代码,涵盖了内存读写、扇区保护、状态控制等多个方面。在实际应用中,可根据具体需求选择合适的命令,如在库存管理系统中使用Inventory命令进行标签盘点,在数据存储系统中使用Read/Write命令进行数据读写。
芯片的电气参数包括绝对最大额定值、I2C直流和交流参数、RF电气参数等。在设计电路时,需确保芯片的工作条件在这些参数范围内,以保证芯片的正常工作和可靠性。
芯片提供多种封装形式,如SO8N、UFDFPN8和TSSOP8等,以满足不同的应用需求和电路板布局要求。在选择封装时,需考虑封装的尺寸、引脚间距、散热性能等因素。
M24LR04E-R作为一款功能强大的动态NFC/RFID标签IC,在数据存储、身份识别、库存管理等领域具有广泛的应用前景。电子工程师们在设计时,需充分了解芯片的各项特性和参数,合理选择工作模式和命令,以实现最佳的性能和可靠性。同时,随着NFC/RFID技术的不断发展,相信这款芯片也将不断优化和升级,为更多的应用场景提供支持。
各位工程师朋友们,你们在使用M24LR04E-R芯片的过程中遇到过哪些问题或有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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