台阶仪在光电材料中的应用：基于AZO薄膜厚度均匀性表征的AACVD工艺优化

铝掺杂氧化锌（AZO）作为一种高性能透明导电氧化物，在光电子和能源器件中具有广泛应用前景。目前，基于气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）技术制备AZO薄膜的研究多采用氮气等惰性气体作为载气，而对具有氧化活性的氧气作为载气的系统性研究明显缺乏，这限制了对沉积气氛与薄膜性能间关联机制的深入理解。Flexfilm探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量，精确测定样品的表面台阶高度与膜厚，为材料质量把控和生产效率提升提供数据支撑。

本研究提出采用氧气作为载气，通过AACVD技术沉积AZO薄膜，旨在阐明载气化学性质对薄膜性能的影响。研究系统探讨了不同铝掺杂浓度（0-20%）对薄膜结构、光学与电学特性的调控规律。结果表明，氧气载气有利于提升薄膜结晶质量、减少缺陷；并通过掺杂工程实现了对其光电性能的有效调控，为AZO薄膜在透明电极、紫外光电探测器及新型光伏器件中的应用提供了重要的实验依据和工艺指导。

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实验材料与方法

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AACVD薄膜沉积示意图

AACVD优化过程示意图：退火

仪器参数：本研究使用了一台Flexfilm探针式台阶仪对薄膜厚度进行测量。仪器的测量精度为±2 nm，确保了纳米尺度膜厚表征的准确性。

样品制备：待测样品为通过AACVD技术在洁净的钠钙玻璃基底上沉积的AZO薄膜系列，包括未掺杂的ZnO以及铝掺杂浓度分别为5%、10%、15%和20%的样品。所有样品在沉积后均经过450°C、60分钟的空气中退火处理以优化性能。

测试流程：在薄膜表面制造一个微小的台阶，随后使用台阶仪探针跨过台阶进行扫描。通过测量探针在薄膜表面与基底（或台阶底部）的高度差，直接获得薄膜的绝对厚度。

误差控制：测量误差估计在±5 nm以内。尽管存在此误差范围，但它并不影响对薄膜厚度随掺杂浓度变化趋势的判断，表明台阶仪测量具有良好的重复性与可靠性。

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实验结果分析

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台阶仪的测量数据为核心科学问题：氧气载气下铝掺杂对AZO薄膜生长行为的影响提供了关键证据。

以氧气为载气时，铝掺杂ZnO (AZO) 薄膜的厚度随掺杂浓度的变化

膜厚与掺杂浓度的关系：台阶仪测量表明，随着铝掺杂浓度从0%增加至20%，AZO薄膜的厚度呈现轻微的递增趋势。厚度变化范围控制在±5 nm以内。这一结果直观表明，在本研究采用的以氧气为载气的AACVD工艺中，铝掺杂浓度的改变并未引起薄膜生长速率的剧烈波动，沉积过程较为稳定。轻微的厚度增加可能与铝前驱体的引入略微改变了气溶胶在基板表面的反应与成膜动力学有关。

工艺稳定性：台阶仪测得的微小且规律的厚度变化（±5 nm），首先验证了实验条件（如载气流速、沉积温度、时间）控制精良，工艺重复性好。这是后续所有结构、性能分析具有可比性的基础。

关联结构与电学性能：稳定的、可精确测量的薄膜厚度是分析其他性能参数的前提。本研究结果显示，在最佳掺杂浓度（5-10%）下，薄膜同时获得了较小的电阻率（低至2×10⁻⁴ Ω·cm）和较高的载流子浓度。台阶仪确认的均匀膜厚意味着掺杂剂和载流子在薄膜纵深方向上分布相对一致，这对于实现高效、均匀的横向导电性能至关重要。

氧气载气的作用：与使用氮气等惰性载气的报道相比，本研究使用氧气载气获得了良好的结晶性和较高的紫外吸收。台阶仪数据所揭示的稳定生长模式，间接支持了“氧气作为反应性载气可能促进了前驱体的充分氧化与有序沉积，从而有利于形成缺陷较少、结构均匀的薄膜”这一机理推断。均匀的厚度是高质量结晶薄膜的普遍特征之一。

本研究成功利用氧气作为载气，通过AACVD技术制备了一系列不同铝掺杂浓度的AZO薄膜。系统研究表明，氧气氛围有助于改善薄膜的结晶性。铝掺杂浓度是调控AZO薄膜光电性能的关键参数，其在提升导电性的同时，也会对微观结构、光学带隙及透光性产生复杂影响。本研究明确了性能变化的内在机理，并确定了实现综合性能优化的掺杂范围，为面向实际应用的AZO薄膜可控制备提供了重要的实验数据和理论依据。

Flexfilm探针式台阶仪

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在半导体、光伏、LED、MEMS器件、材料等领域，表面台阶高度、膜厚的准确测量具有十分重要的价值，尤其是台阶高度是一个重要的参数，对各种薄膜台阶参数的精确、快速测定和控制，是保证材料质量、提高生产效率的重要手段。

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原文参考：《Enhanced material, structural, optical, andelectrical characterization of fabricated aluminium‑doped zinc oxide thin flms deposited via aerosol‑assisted‑chemical‑vapor‑deposition (AACVD) using oxygen as a carrier gas》

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