选型手册：VSE011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSE011N10MS-G 是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN3333 封装，适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 10.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 15.0mΩ，中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 45A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 28A，承载能力较强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：180A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，提升中压电源能效；
• 高功率密度：PDFN3333 小封装适配小型化高集成电路设计；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	45	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 45；\(T=100^\circ\text{C}\): 28	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	180	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	41	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 16；\(T=100^\circ\text{C}\): 3.6	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3333 表面贴装封装，包装规格为 5000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 100V 级中压小型高功率密度 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、物联网设备的中压负载开关；
  • 小型中压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）