电子说
在如今的电子工程领域,对于高精度、高灵敏度的光子检测设备的需求日益增长。博通(Broadcom)的AFBR - S4N44P164M 4×4硅光电倍增管(SiPM)阵列,无疑是满足这一需求的杰出代表。今天,我们就来深入探讨这款产品的特点、性能以及应用。
文件下载:Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列.pdf
AFBR - S4N44P164M是一款用于单光子超灵敏精密测量的4×4硅光电倍增管阵列。它基于NUV - MT技术,相较于NUV - HD技术,在提高光电检测效率(PDE)的同时,降低了暗计数率和串扰。SiPM在两个方向上的间距均为4mm,通过拼接多个阵列,能以16mm的间距覆盖更大面积,且几乎无边缘损耗。其采用环氧透明模塑料封装,机械稳定性和坚固性良好,对紫外线波长高度透明,在可见光光谱中具有广泛响应,对蓝光和近紫外区域的光尤为敏感。
硅光电倍增管阵列在多个领域都有广泛的应用,AFBR - S4N44P164M也不例外。它特别适合检测低水平脉冲光源,尤其适用于检测常见有机(塑料)和无机闪烁体材料产生的切伦科夫或闪烁光,如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、$LaBr_{3}$等。具体应用场景包括:
| 在使用AFBR - S4N44P164M时,需要注意其绝对最大额定值,超过这些限制可能会损坏器件。以下是一些关键参数: | 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 存储温度 | TsG | -20 | +60 | ℃ | |
| 工作温度 | TA | -20 | +50 | ℃ | |
| 焊接温度 | TSOLD | 245 | ℃ | ||
| 引脚焊接时间 | tsLD | 60 | 秒 | ||
| 静电放电电压能力(HBM) | ESDHBM | 2 | kV | ||
| 静电放电电压能力(CDM) | ESDCDM | 500 | V | ||
| 工作过电压 | Vov | 16 | V |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 单器件面积 | DA | 3.84×3.74 | $mm^2$ |
| 有效面积 | AA | 3.72×3.62×16 | $mm^2$ |
| 单元有效面积 | EAA | 3.72×3.62 | $mm^2$ |
| 微单元间距 | LCELL | 40 | μm |
| 每个单元的微单元数量 | NCELLS | 8334 |
| 在12V过电压和25°C条件下,部分关键性能参数如下: | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 参考曲线 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 光谱范围 | λ | 300 | 900 | nm | 图5 | ||
| 峰值灵敏度波长 | λPK | 420 | nm | 图5 | |||
| 击穿电压 | VBD | 32 | 32.5 | 33 | V | 图7 | |
| 光电检测效率 | PDE | 58 | 63 | % | 图5、图6 | ||
| 每个单元的暗电流 | ID | 3.3 | 19 | μA | 图7 | ||
| 每个单元的暗计数率 | DCR | 1.7 | 7.5 | Mcps | 图8 | ||
| 单位面积暗计数率 | DCRmm2 | 125 | 650 | kcps/$mm^2$ | |||
| 增益 | G | 6.0 | 7.3 | 8.5 | ×$10^6$ | 图9 | |
| 光学串扰 | PXTALK | 23 | 30 | % | 图10 | ||
| 后脉冲概率 | PAD | <1 | 5 | % | |||
| 充电时间常数 | TFALL | 55 | ns | 图11 | |||
| 标称终端电容 | CT | 580 | pF |
这些参数为工程师在设计电路和系统时提供了重要的参考依据。在实际应用中,我们需要根据具体需求,合理选择工作条件和参数,以充分发挥AFBR - S4N44P164M的性能优势。
AFBR - S4N44P164M 4×4 NUV - MT硅光电倍增管阵列凭借其高灵敏度、低噪声、良好的一致性等优点,在单光子检测领域具有广阔的应用前景。作为电子工程师,我们在设计相关系统时,需要充分了解其特性和参数,合理选择工作条件,以确保系统的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似产品的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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