电子说
在电子设计领域,高速、可靠的通信接口至关重要。SN65LVDT14和SN65LVDT41作为多通道LVDS(低电压差分信号)收发器,为工程师们提供了出色的解决方案。今天,我们就来深入探讨这两款器件的特性、应用及设计要点。
文件下载:sn65lvdt41.pdf
SN65LVDT14集成了一个LVDS驱动器和四个LVDS接收器,而SN65LVDT41则包含四个LVDS驱动器和一个LVDS接收器。它们均采用LVDS技术,具有高噪声免疫力、低电磁干扰(EMI)和可增加电缆长度等优点,主要用于SPI(串行外设接口)通过LVDS的应用。
SPI是处理器与外设之间常用的通信方法,但在长距离通信中,单端信号容易受到外部噪声和EMI的影响。SN65LVDT14和SN65LVDT41可以将单端SPI信号转换为LVDS信号,实现长距离、高速、低噪声的SPI通信。SN65LVDT41应位于SPI主设备,而SN65LVDT14则位于SPI从设备。
这两款器件还可用于板对板通信、测试与测量、电机驱动、LED视频墙、无线基础设施、电信基础设施和机架服务器等领域,展现了其广泛的适用性。
器件设计为在3 V至3.6 V的单电源下工作。在典型的点对点应用中,驱动器和接收器可能位于不同的板卡甚至设备上,此时应在每个位置使用独立的电源。同时,要确保驱动器和接收器电源之间的接地电位差小于±1 V。
PCB通常提供微带线和带状线两种传输线选项。微带线是顶层或底层的信号走线,通过介质层与接地或电源平面隔开;带状线是内层的信号走线,上下均有接地平面。虽然带状线能有效减少辐射和干扰,但高速传输时会增加电容。因此,在可能的情况下,建议使用微带线传输LVDS信号。
信号在板卡上的传输速度决定了介质的选择。对于LVCMOS/LVTTL信号的上升或下降时间小于500 ps的情况,建议使用介电常数接近3.4的材料,如Rogers™4350或Nelco N4000 - 13。同时,板卡的铜重量、镀层厚度等参数也会影响性能,应遵循相关设计准则。
为减少LVCMOS/LVTTL与LVDS之间的串扰,建议采用至少两层独立的信号平面。常见的四层板和六层板布局可以有效提高信号完整性。
差分对的走线应紧密耦合,以实现100 Ω的差分阻抗,并保持长度一致,减少信号偏斜和反射。对于相邻的单端走线和差分对,应遵循3 - W规则,即间距大于单根走线宽度的两倍或从走线中心到中心测量的三倍宽度。
提供靠近信号源的高频电流返回路径,通常使用接地平面来实现。保持走线短且连续,避免接地平面出现不连续,以降低串扰和接地反弹。
在电源引脚附近放置旁路电容,可选择0402或0201尺寸的X7R表面贴装电容,以减少电容的体电感。多个不同值的电容并联使用,可扩展工作频率范围。
LVDS驱动器和接收器之间的物理通信通道应选用平衡、配对的金属导体,如屏蔽双绞线、双轴电缆、扁平带状电缆或PCB走线。互连介质的标称特性阻抗应在100 Ω至120 Ω之间,偏差不超过10%。
使用外部上拉和下拉电阻为LVDS输入提供偏置,以确保在开路条件下的故障安全。上拉和下拉电阻应在5 kΩ至15 kΩ范围内,以减少对驱动器的负载和波形失真。
在电源引脚使用旁路电容,推荐使用高频陶瓷电容(如0.1 μF和0.001 μF)并联,且最小电容值应最靠近器件电源引脚。
文档中提供了详细的器件规格,包括绝对最大额定值、ESD额定值、推荐工作条件、热信息、电气特性和开关特性等。同时,还给出了参数测量信息和典型特性曲线,帮助工程师更好地了解器件性能。
SN65LVDT14和SN65LVDT41为长距离SPI通信和其他高速应用提供了优秀的解决方案。在设计过程中,工程师们需要综合考虑电源供应、布局设计、互连介质等多个方面,以确保器件的性能和可靠性。希望通过本文的介绍,能帮助大家更好地应用这两款器件,打造出更加出色的电子系统。
大家在使用SN65LVDT14和SN65LVDT41的过程中,遇到过哪些有趣的问题或挑战呢?欢迎在评论区分享交流。
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