电子说
在毫米波频段的电子设计中,低噪声放大器(LNA)起着至关重要的作用。今天,我们就来详细探讨一款高性能的低噪声放大器——HMC - ALH376。
文件下载:HMC-ALH376.pdf
HMC - ALH376理想适用于多种场景,包括点对点无线电、点对多点无线电、测试设备与传感器以及军事和航天领域。这些应用场景对放大器的性能要求极高,而HMC - ALH376凭借其出色的特性能够很好地满足需求。
工作频率范围为35 - 45 GHz,在不同的频率区间,其增益和噪声系数等参数会有所变化。在35 - 40 GHz频段,典型增益为16 dB,噪声系数为2 dB;在40 - 45 GHz频段,增益典型值为12 dB,噪声系数典型值为2.2 dB。
输入回波损耗最小为10 dB,输出回波损耗典型值在16 - 18 dB之间,输出功率在1 dB压缩点为6 dBm,供电电流为87 mA。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。
在实际使用中,必须严格遵守这些额定值,否则可能会对芯片造成永久性损坏。
| 焊盘编号 | 功能 | 描述 | 接口示意图 |
|---|---|---|---|
| 1 | RFIN | 该焊盘为交流耦合,匹配到50欧姆。 | RFINO11 |
| 2 | Vdd | 放大器的电源电压,所需外部组件见组装说明。 | Vdd |
| 3 | RFOUT | 该焊盘为交流耦合,匹配到50欧姆。 | O RFOUT |
| 芯片底部 | GND | 芯片底部必须连接到RF/DC接地。 | OGND |
了解焊盘的功能和描述,有助于正确地进行电路连接和设计。
在组装时,旁路电容应选用约100 pF的陶瓷(单层)电容,且放置位置距离放大器不超过30 mils。输入和输出使用长度小于10 mil、宽度为3 mil、厚度为0.5 mil的键合线能够获得最佳性能。
芯片背面金属化,可以使用AuSn共晶预成型件或导电环氧树脂进行芯片安装。安装表面应清洁平整。
推荐使用0.003” x 0.0005”的带状线进行RF键合,采用热超声键合,键合力为40 - 60克。DC键合推荐使用直径为0.001”(0.025 mm)的线,球键合键合力为40 - 50克,楔形键合键合力为18 - 22克。所有键合的标称平台温度为150℃,应施加最小的超声能量以实现可靠键合,键合线长度应尽可能短,小于12 mils(0.31 mm)。
HMC - ALH376作为一款高性能的GaAs HEMT MMIC低噪声放大器,在毫米波频段具有出色的性能和广泛的应用前景。但在使用过程中,工程师需要严格按照其规格和安装键合要求进行操作,以确保芯片能够发挥最佳性能。大家在实际设计中是否遇到过类似芯片在安装和使用方面的挑战呢?欢迎在评论区分享您的经验。
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