探索HMC - ALH376:35 - 45 GHz GaAs HEMT MMIC低噪声放大器

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描述

探索HMC - ALH376:35 - 45 GHz GaAs HEMT MMIC低噪声放大器

在毫米波频段的电子设计中,低噪声放大器(LNA)起着至关重要的作用。今天,我们就来详细探讨一款高性能的低噪声放大器——HMC - ALH376。

文件下载:HMC-ALH376.pdf

一、典型应用与特性

典型应用场景

HMC - ALH376理想适用于多种场景,包括点对点无线电、点对多点无线电、测试设备与传感器以及军事和航天领域。这些应用场景对放大器的性能要求极高,而HMC - ALH376凭借其出色的特性能够很好地满足需求。

特性亮点

  • 噪声系数低:仅为2 dB,这意味着在信号放大过程中引入的噪声非常小,能够有效提高信号的质量。
  • 增益可观:在40 GHz时增益达到16 dB,能够对微弱信号进行有效的放大。
  • 输出功率:P1dB输出功率为 +6 dBm,保证了在一定范围内的信号强度。
  • 供电要求:仅需 +4V 电压,电流为87 mA,相对较为节能。
  • 尺寸小巧:芯片尺寸为2.7 x 1.44 x 0.1 mm,面积仅为3.9 $mm^{2}$,非常适合集成到混合组件或多芯片模块(MCMs)中。

二、电气规格

频率范围

工作频率范围为35 - 45 GHz,在不同的频率区间,其增益和噪声系数等参数会有所变化。在35 - 40 GHz频段,典型增益为16 dB,噪声系数为2 dB;在40 - 45 GHz频段,增益典型值为12 dB,噪声系数典型值为2.2 dB。

其他参数

输入回波损耗最小为10 dB,输出回波损耗典型值在16 - 18 dB之间,输出功率在1 dB压缩点为6 dBm,供电电流为87 mA。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

三、绝对最大额定值

电压与功率限制

  • 漏极偏置电压最大为 +5.5 Vdc。
  • 在35 - 40 GHz频段,RF输入功率最大为 -5 dBm;在40 - 45 GHz频段,RF输入功率最大为 -1 dBm。

温度范围

  • 通道温度最高为180℃。
  • 存储温度范围为 -65 至 +150℃。
  • 工作温度范围为 -55 至 +85℃。

在实际使用中,必须严格遵守这些额定值,否则可能会对芯片造成永久性损坏。

四、焊盘描述

焊盘编号 功能 描述 接口示意图
1 RFIN 该焊盘为交流耦合,匹配到50欧姆。 RFINO11
2 Vdd 放大器的电源电压,所需外部组件见组装说明。 Vdd
3 RFOUT 该焊盘为交流耦合,匹配到50欧姆。 O RFOUT
芯片底部 GND 芯片底部必须连接到RF/DC接地。 OGND

了解焊盘的功能和描述,有助于正确地进行电路连接和设计。

五、组装与注意事项

组装图

在组装时,旁路电容应选用约100 pF的陶瓷(单层)电容,且放置位置距离放大器不超过30 mils。输入和输出使用长度小于10 mil、宽度为3 mil、厚度为0.5 mil的键合线能够获得最佳性能。

毫米波GaAs MMIC的安装与键合技术

安装

芯片背面金属化,可以使用AuSn共晶预成型件或导电环氧树脂进行芯片安装。安装表面应清洁平整。

  • 共晶芯片贴装:推荐使用80/20金锡预成型件,工作表面温度为255℃,工具温度为265℃。当使用90/10氮气/氢气热气体时,工具尖端温度应为290℃。注意不要让芯片在超过320℃的温度下暴露超过20秒,贴装时擦洗时间不超过3秒。
  • 环氧树脂芯片贴装:在安装表面涂抹最少的环氧树脂,使芯片放置到位后周围能看到薄的环氧树脂圆角。按照制造商的时间表固化环氧树脂。

键合

推荐使用0.003” x 0.0005”的带状线进行RF键合,采用热超声键合,键合力为40 - 60克。DC键合推荐使用直径为0.001”(0.025 mm)的线,球键合键合力为40 - 50克,楔形键合键合力为18 - 22克。所有键合的标称平台温度为150℃,应施加最小的超声能量以实现可靠键合,键合线长度应尽可能短,小于12 mils(0.31 mm)。

处理注意事项

  • 存储:所有裸芯片应放置在华夫或凝胶基静电放电保护容器中,然后密封在静电放电保护袋中运输。打开密封袋后,应将芯片存放在干燥的氮气环境中。
  • 清洁:在清洁环境中处理芯片,不要使用液体清洁系统清洁芯片。
  • 静电敏感性:遵循静电放电预防措施,防止静电冲击。
  • 瞬态保护:在施加偏置时,抑制仪器和偏置电源的瞬态,使用屏蔽信号和偏置电缆以减少感应拾取。
  • 一般处理:使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘处理芯片,避免接触芯片表面的脆弱空气桥。

总结

HMC - ALH376作为一款高性能的GaAs HEMT MMIC低噪声放大器,在毫米波频段具有出色的性能和广泛的应用前景。但在使用过程中,工程师需要严格按照其规格和安装键合要求进行操作,以确保芯片能够发挥最佳性能。大家在实际设计中是否遇到过类似芯片在安装和使用方面的挑战呢?欢迎在评论区分享您的经验。

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