电子说
在高频电子设备应用领域,高性能放大器的选择对于系统的整体性能起到至关重要的作用。今天,我们就来详细探讨一款由 Analog Devices 推出的 HMC - AUH320 放大器,它属于 GaAs HEMT MMIC 中功率放大器,工作频率范围为 71 - 86 GHz,在多个应用场景中都能发挥出色的性能。
文件下载:HMC-AUH320.pdf
HMC - AUH320 的适用性非常广泛,以下是一些典型的应用场景:
HMC - AUH320 在 74 GHz 时增益可达 16 dB,1 dB 压缩点输出功率为 +15 dBm,饱和输出功率为 +16 dBm,能够为系统提供足够的功率增益。其输入输出均匹配 50 欧姆,便于与其他设备集成。
仅需 +4V 的电源电压,总供电电流(Idd1 + Idd2)为 130 mA,功耗相对较低,适合在多种电源环境下工作。
芯片尺寸为 2.20 x 0.87 x 0.1 mm,体积小巧,方便集成到各种小型化设备中。
所有键合焊盘和芯片背面均采用 Ti/Au 金属化处理,并且芯片经过完全钝化处理,保证了其在各种环境下的可靠运行。同时,该芯片兼容传统的芯片粘贴方法,以及热压和热超声引线键合技术,适用于 MCM 和混合微电路应用。
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 频率范围 | 71 - 86 | GHz | ||
| 增益 | 10 | 16 | dB | |
| 输入回波损耗 | 4 | dB | ||
| 输出回波损耗 | 6 | dB | ||
| 1dB 压缩点输出功率(P1dB) | 15 | dBm | ||
| 饱和输出功率(Psat) | 16 | dBm | ||
| 电源电流(Idd1 + Idd2) | 130 | mA |
| 焊盘编号 | 功能 | 描述 | 接口原理图 | |
|---|---|---|---|---|
| 1 | RFIN | 该焊盘为直流耦合(用于防静电),匹配 50 欧姆 | RFIN O | |
| 2,3 | Vdd1, Vdd2 | 放大器的电源电压,具体所需外部组件请参考组装图 | Vdd1, Vdd2 | |
| 4 | RFOUT | 该焊盘为交流耦合,匹配 50 欧姆 | - | ORFOUT |
| 5 | Vgg | 放大器的栅极控制,所需外部组件请参考组装图,并遵循“MMIC 放大器偏置程序”应用笔记 | Vgg | |
| 芯片底部 | GND | 芯片底部必须连接到射频/直流接地 | OGND |
芯片可以通过共晶或导电环氧树脂直接附着到接地平面上。推荐使用 0.127mm(5 密耳)厚的氧化铝薄膜基板上的 50 欧姆微带传输线来连接芯片的射频输入输出。若使用 0.254mm(10 密耳)厚的氧化铝薄膜基板,则需要将芯片抬高 0.150mm(6 密耳),使芯片表面与基板表面共面。可以将 0.102mm(4 密耳)厚的芯片附着到 0.150mm(6 密耳)厚的钼散热片上,再将其附着到接地平面。微带基板应尽量靠近芯片,以减少键合线长度,典型的芯片与基板间距为 0.076mm 至 0.152mm(3 至 6 密耳)。
推荐使用 0.003” x 0.0005” 的带状线进行射频键合,采用 40 - 60 克的力进行热超声键合。对于直流键合,推荐使用直径为 0.001”(0.025mm)的线进行热超声键合,球键合的力为 40 - 50 克,楔形键合的力为 18 - 22 克。所有键合操作的平台温度应为 150°C,并且应尽量减少超声能量的使用以确保可靠键合,键合线长度应小于 12 密耳(0.31mm)。
所有裸芯片在运输时都放置在华夫或凝胶基防静电保护容器中,然后密封在防静电保护袋中。一旦打开密封的防静电保护袋,所有芯片应存放在干燥的氮气环境中。
应在干净的环境中处理芯片,切勿使用液体清洁系统清洁芯片。
遵循静电防护措施,避免静电对芯片造成损坏。
在施加偏置时,应抑制仪器和偏置电源的瞬态,使用屏蔽信号和偏置电缆以减少感应拾取。
使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘操作,避免触摸芯片表面,因为芯片表面可能有易碎的空气桥。
综上所述,HMC - AUH320 是一款性能卓越、功能强大且易于集成的中功率放大器,非常适合在高频、高性能的电子系统中使用。各位工程师在实际应用中,可根据具体需求进行选择和设计。大家在使用这款放大器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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