电子说
在电子工程领域,功率放大器一直是无线通信、雷达系统等众多应用的核心组件。今天,我们将深入探讨一款高性能的功率放大器——HMC1086F10,它是一款工作在2 - 6 GHz频段的25W氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器,由Analog Devices公司推出。
文件下载:HMC1086F10.pdf
HMC1086F10具有广泛的应用前景,适用于多种领域:
HMC1086F10具有一系列令人瞩目的特性:
| 在室温($T_{A}=+25^{circ} C$),$Vgg = Vgg1 = Vgg2$,$Vdd = Vdd1 = Vdd2 = +28 ~V$,$Idd = 1100 ~mA$的条件下,HMC1086F10的电气规格如下: | 参数 | 频率范围(GHz) | 小信号增益(dB) | 增益平坦度(dB) | 增益温度变化(dB/ °C) | 输入回波损耗(dB) | 输出回波损耗(dB) | 4dB压缩输出功率(P4dB,dBm) | 4dB压缩功率增益(P4dB,dB) | 饱和输出功率(Psat,dBm) | 输出三阶交调截点(IP3,dBm) | 功率附加效率(PAE,%) | 总电源电流(Id1 + Id2,mA) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 范围 | 2 - 4 4 - 6 |
20 - 23 21 - 24 |
±1 ±0.5 |
0.03 | 15 - 17 | 12 | 41 | 20 | 44.5 | 46 | 35 - 32 | 1100 |
这些规格展示了HMC1086F10在不同频率范围内的性能表现,为工程师在设计电路时提供了重要参考。
文档中提供了多个性能曲线,展示了HMC1086F10在不同条件下的性能变化:
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 漏极偏置电压(Vdd) | +32Vdc |
| 栅极偏置电压(Vgg) | -8 to 0 Vdc |
| RF输入功率(RFIN) | +33 dBm |
| 通道温度 | 225℃ |
| 最大功耗(T = 85°)(85°以上每升高1°C降额432 mW) | 60.5W |
| 热阻(通道到法兰底部) | 2.31°C/W |
| 最大正向栅极电流(mA) | 11mA |
| 最大电压驻波比(VSWR) | 6:1 |
| 存储温度 | -65 to 150 °C |
| 工作温度 | -40 to 85℃ |
在操作过程中,需要严格遵守这些额定值和程序,以确保放大器的正常工作和寿命。
HMC1086F10采用10引脚法兰安装封装,封装体材料为铜15钨85,引脚镀层为NiAu。该器件不适合表面贴装,也不适合用于回流焊工艺。
文档中提供了引脚描述,但部分内容可能存在乱码,工程师在使用时需要仔细核对引脚功能,确保正确连接。
为了方便工程师进行测试和评估,Analog Devices提供了评估PCB(EVAL01 - HMC1086F10)。评估PCB上包含了SRI K连接器、DC连接器、预成型跳线、电容等组件,以及HMC1086F10放大器。在使用评估PCB时,需要注意采用RF电路设计技术,确保信号线路具有50欧姆阻抗,同时将封装接地引脚和暴露焊盘直接连接到接地平面,并使用足够数量的过孔连接顶部和底部接地平面。
HMC1086F10是一款性能卓越的2 - 6 GHz 25W GaN MMIC功率放大器,具有高功率、高增益、高线性度等优点,适用于多种应用场景。在设计电路时,工程师需要根据其电气规格、绝对最大额定值和操作注意事项进行合理设计,同时可以利用评估PCB进行快速测试和验证。你在使用类似功率放大器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !